CCD电离辐射效应损伤机理分析.pdfVIP

第29卷 第3期 核电子学与探测技术 V0L29 No．3 2009年 5月 NuclearElectronics DetectionTechnology M ay． 2009 CCD电离辐射效应损伤机理分析 王祖军一，唐本奇 ，肖志刚 ，刘敏波 ，黄绍艳 ，张 勇 ，陈 伟 ，刘以农 (1．清华大学工程物理系，粒子技术与辐射成像教育部重点实验室，北京 100084~ 2．西北核技术研究所，西安市69信箱 1O分箱，陕西 西安 710024) 摘要：研究了CCD电离辐射引起总剂量效应和瞬态电离效应的损伤机理。分析了总剂量效应导 致CL33平带电压和阈值电压漂移、表面暗电流密度增大以及饱和输出电压下降的规律和机理。研究了 单粒子瞬态电离辐射导致CCD单粒子瞬态电荷产生的机理；研究了瞬态脉冲电离辐射导致CCD信号 电荷损失的机理。 关键词：CCD电离辐射；平带电压；表面暗电流；饱和输出电压；单粒子瞬态电荷 中圈分类号：06O5，TN386．5 文献标识码：A 文章编号：0258-0934(2009)03-0565-06 电荷耦合器件 CCD(chargecoupledde- CCD正常工作，严重的会导致CCD功能失效。 vice)是 1970年由美国Bell实验室首先研制成 通过对CCD电离辐射效应进行深入分析，弄清 功，作为M0S(MetalOxideSemiconductor)技 其损伤机理，为CCD抗电离辐射加固技术研究 术的延伸而产生的一种半导体光电器件。它不 奠定理论基础和技术支持。 同于其它半导体器件以电压或电流作为信号， I CCD总剂量效应损伤机理分析 而是以电荷作为信号，利用电荷包代表信息的 非稳态器件。因其体积小、质量轻、功耗低、量 电离辐射效应是指当带电粒子入射到半导 子效率高、动态范围大、寿命长以及机械强度高 体器件内时，带电粒子可以通过电离过程使得 等优 良性能，而被广泛应用于航天器对地观测、 一 些束缚电子从价带激发到导带，从而产生大 遥感、空间科学探测器等领域。 量的电子空穴对，形成致密电离径迹。这些带 CCD受电离辐射影响后，会产生总剂量效 电粒子辐射产生的电子空穴对将对半导体器件 应和瞬态电离效应。总剂量效应导致 CCD平 性能产生影响，严重时甚至会使半导体器件失 带电压和阈值电压漂移、表面暗电流密度增大 效或烧毁[1]。电离效应包括总剂量效应和瞬态 以及饱和输出电压下降。单粒子瞬态电离辐射 电离效应 。 导致CCD单粒子瞬态电荷产生，使 CCD势阱 总剂量电离损伤可使半导体电导率发生变 中信号电荷量增多。瞬态脉冲电离辐射导致 化、漏电流增加以及时间响应变坏等。表面器 CCD信号电荷损失。上述各种效应均影响 件以总剂量损伤为主。MOS器件 (如CCD、 CI)【、CMOS等)对电离辐射很敏感，电离辐射 收稿 日期：20O8_11—14 导致 S z绝缘层产生带正电的氧化物陷阱电 作者简介：王祖军(1979一)，男，湖北汉川人，清华大 荷，在Si／SiOz界面产生界面陷阱电荷，从而导 学工程物理系博士生。现工作于西北核技术研究 致器件特性参数显著退化，甚至功能失效。电 所，主要从事光电器件辐射效应研究和超深亚微米 离辐射总剂量效应是一种累积的损伤行为，一 集成电路辐射效应仿真模拟研究。 般而言，对短时间