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深亚微米标准单元库的可制造性设计
李宁，王国雄
(浙江大学超大集成电路设计研究所，杭州310027)
摘要：针对亚波长光刻条件下标准单元设计中可能遇到的与物理设计相关的可制造性问题，提
出了新的工艺规则和解决方法设计标准单元库。使用分辨率增强技术和光刻模拟仿真，以边缘放置
错误值、关键足寸和版图面积作为评价标准。实例表明，新的工艺规则和方法与生产厂家默认规则
相比，在芯片设计初始阶段能够提高产品成品率，有利于缩短设计周期，增强芯片的市场竞争力。
基于改进后的O．18肛m工艺规则，完成标准单元库的可制造性设计工作，具有良好的应用前景。
关键词：标准单元库；可制造性；工艺规则；光刻模拟
中图分类号：TN304．054文献标识码：A
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Ning，WANGGuo—xiong
(‰豳mo，咄脑妇，z螂nw哳蛔嘶，肌，神∞310027，吼洳)
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大【3J。因此设计过程中，对每种逻辑单元设计了不
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同尺寸、不同驱动能力的单元。同时，采用合理的
随着半导体工业的迅速发展，集成电路的
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