SILAR法制备CIAS薄膜太阳电池吸收层和缓冲层及研究.pdfVIP

论文题目： SILAR法制备CLAS薄膜太阳电池吸收层和缓冲层 学科名称： 微电子与固体电子学 研究生： 田璩哲 签名：曲 指导教师： 马剑平副教授 签名。晰 摘要 近年来，由于CuInSe2薄膜太阳电池转换效率比较高、成本较低以及较稳定的性能备 受人们关注。制备电池的材料带隙越接近吸收太阳能光谱的最佳带隙1．45eV，其转换效 中掺入镓来代替部分铟增大带隙以提高材料的转换效率，然而稀有金属镓价格昂贵，这使 得制造的成本增加。我们拟使用价格低廉的Al代替h，通过不同工艺条件比较，探索其 最佳制备工艺。 条件，主要研究了不同循环次数、前驱体溶液离子浓度变化和不同退火的温度和时间等工 艺条件对薄膜性能的影响，采用XRD、SEM、分光光度计等测试方法分析薄膜的结晶学 性能，形貌和元素组分，光学性能。同时采用cBD法制各了CdS缓冲层，并对其性能进 行了表征。 衬底表面的吸附是多层离子同时进行吸附的，不是单层吸附；当溶液中的Cu／In+Al比率 为l时，与CIAS薄膜各化学组分更接近，薄膜比较平整致密，随着Al含量的增加，铟 的含量略有减少，说明部分铝取代了铟；高温长时间退火会使铟和硒挥发，导致产生对电 池性能有害的CuSe杂质，适当升高温度和延长退火时间有助于改善薄膜的结晶学性能， 提高薄膜的成膜质量。在400℃下热处理30min后，制备的薄膜质量较好，具有较单一的 黄铜矿结构。控制铝含量可以调节薄膜的禁带宽度，可以得到适合的CIAS薄膜电池吸收 温度80℃为宜，随着水浴时间的延长和退火温度的升高，CdS薄膜由立方相逐渐变为六 方和立方的混合结构，退火促进了重结晶，使薄膜表面更平整致密。 关键词：太阳能电池；SILAR法；CIAS薄膜；CBD法 Abstract _———————————————————————————————————————————————————————————————一 SOLAR OFCIASTHlNFILM TitIe：PREPARATION METHOD LA：YERBYSILAR LAYERANDBUFFER andSoIidElectronics Major：MicroeIectronics Name：J Tian ingzhe ＼J lⅥa s-gnatu SuperVisor：Associateprof．Jianping re．＆私∥ol AbStraCt thinfilmsolarcells“th costa薹!【d Inrecent emciency，low years，CuInSe2 hi曲conversion to theconVersion of thestable has mucha_nention．inorder e衢ciency perfo姗ancegot improve Int0inCrease solar Gato