分步插层法制备硝酸盐-硫酸-GIC.pdfVIP

第 24卷 第4期 新 型 炭 材 料 Vo1．24 NO．4 2009年 12月 NEW CARBON MATERIALS DeC．2009 文章编号 ： 1007—8827(2009)04—0379—04 分步插层法制备硝酸盐一硫酸一GIC 韩志东， 杜 鹏， 董丽敏 ， 张显友 (哈尔滨理工大学 材料科学与工程学院，黑龙江，哈尔滨 150040) 摘 要： 通过硫酸、硝酸或硝酸盐分步插层的方法 ，成功制备了硝酸／硝酸盐一硫酸一GIC三元石墨层 问化合物。采 用XRD、SEM 和EDS对 GIC的结构进行了研究。结果表明：与直接插层法相 比，分步插层法有利于插层物质的插 层反应，充分扩大石墨层间距，形成低阶石墨层间化合物，使膨胀效果更优 ，膨胀体积高达450mL／g以上；膨胀后 GIC的孑L结构均匀 ，层壁较薄 ，片层结构清晰，膨胀充分。同时，分步插层法能够降低实验操作的危险性 ，污染小， 反应易于控制。 关键词： 分步插层法 ；石墨层 问化合物；硝酸；硫酸 中图分类号： TQ 165 文献标识码 ： A 1 前日JI言舌 2 实买验验 石墨层 间化合物 (Graphiteintercalationcorn— 2．1 原材料 pound，GIC)是用物理或化学方法使异类原子、分子 鳞片石墨 (50目，纯度为99．9％，青岛天和石墨 或离子插入石墨层问而生成的新型化合物，亦称插 有限公司)；硫酸 (质量分数 98％，分析纯)；硝酸 层化合物 ¨。GIC具有一些独特的理化特性，如高 (质量分数 65％，分析纯)；重铬酸钾 (分析纯)；硝 导电性 、超导性 、电池特性 、催化剂特性 、储氢特性 酸铁 (分析纯)；硝酸钠 (分析纯)。 等，使其研究受到广泛关注 。近年来，将两种或 2．2 GIC制备 多种物质复合插入石墨层间形成多元 GIC的制备 硫酸一硝酸一GIC制备采用两种方法 ，直接插层 和性能研究大量展开 ，其 中有关给体型插层剂的 法和分步插层法。 三元 GIC的报道较多，而有关受体型插层剂的多元 直接插层法 ：将硫酸和硝酸 同时与石墨反应制 GIC的研究报道相对较少 。 得 GIC。制备工艺 ：混合硫酸 、硝酸 ，以重铬酸钾为 化学氧化法和 电化学法是制备硫酸插层 GIC 氧化剂氧化插层鳞片石墨，反应在水浴 30℃下进 普遍采用 的方法_9j。电化学法是 目前用于研究受 行 ，反应30min后 ，水洗至 pH=7，抽滤 ，50℃烘干 ， 体型插层剂的三元 GIC的主要方法，采用该方法可 得硫酸一硝酸一GIC(F—HNO3一H2SO4一GIC)。 制备 H2SO4一HNO3一GIC、H2SO4一H2SeO4一GIC、H2 分步插层法：先合成二元石墨层间化合物，再由 SO一CH COOH．GIC、H2SO4一HCOOH—GIC等三元 另一种客体材料直接与其作用，生成三元插层化合 GIC ¨ 。 但有关化学氧化法制备三元 GIC的研究 物。具体方法为 ：在硫酸 、重铬酸钾对鳞片石墨进行 报道很少 。在采用化学氧化法制备 GIC的过程 中， 初步插层氧化反应后 ，使用一定用量硝酸 、硝酸铁 、 氧化是最为关键的步骤 。而 目前普遍使用的一次氧 硝酸钠溶液作为二次插层剂对其进行二次插层 ，反 化法不能充分发挥氧化剂对石墨插层反应的作用， 应同样在水浴 30℃下进行 ，两步反应时间均为 不利于实现对插层反应的控制。本文主要报道采用 30min，反应后水洗至 pH=7，抽滤，50℃烘干，得分 一 次氧化法直接插层和分步插层 ，比较研究了硝酸／