研究与玻璃粘接的GaAsGaAlAs外延层晶体质量的X射线衍射方法.pdfVIP

　第 20 卷第 2 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 2　 V o l N o 　1999 年 2 月　　　　　　CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S　　　　　　Feb. , 1999　 研究与玻璃粘接的 GaA s GaA lA s 外延层晶体质量的 X 射线衍射方法 米　侃　赛小锋　侯　洵 ( 中国科学院西安光学精密机械研究所　西安　710068) 摘要　 本文应用高分辨率多重晶多次反射 射线衍射仪( X H igh R eso lution M ultip le C rystal , ) 研究了粘接后的 玻璃结构. M ultip le R eflection D iffractom eter HRM CM RD GaA s GaA lA s 利用倒易空间衍射图的方法评价粘接后的晶体质量, 给出了倒易空间衍射的三维强度分布图. 结果表明, 粘接过程中较大的应力将使应变的非四方畸变加剧, 同时生长方向的应变产生较大 的变化. 这都将在晶体内部产生缺陷, 影响器件的光电特性. 成功的粘接样品表明, 应变造成摇 摆曲线的半峰宽(FW HM ) 约 70 ″, 沿晶体生长方向的应变变化较小, 并且倒易空间衍射强度分 布峰形对称. : 6110 , 6170, 8630 PACC F J 1　引言 X 射线衍射方法多年以来一直是人们研究晶体材料微观结构的重要手段之一. 随着三 轴晶体衍射( ) [ 1 ] 技术的发展, 人们可以利用这种具有高分辨率 T rip le crystal diffractom eter 的X 射线分析方法通过分析晶体倒易空间B ragg 衍射峰的二维分布来评价晶体, 特别是外 延晶体的质量. 近年来, 这种方法在研究晶体材料外延层质量方面的作用日益突出, 在分析 半导体超晶格结构, 评价 GaN 失配异质外延层生长质量以及研究高温超导薄膜结构等方面 [ 2, 3 ] 越来越受到人们的重视 . 可能对晶体材料质量造成影响的因素很多, 除了生长过程外, 器 件制造过程也会在材料中引入缺陷. 例如, 在以负电子亲和势 GaA s 光电阴极为主要特色的 第三代微光像增强器的研制过程中, 阴极材料与窗口玻璃的热粘接就会对阴极晶体材料微 观结构产生重大影响. 我们利用倒易空间二维衍射图的方法对阴极材料与窗口玻璃热粘接 前后材料的微观结构进行了分析, 探索出了一种评价粘接质量的方法. 米　侃　男, 1966 年出生, 博士研究生, 主要从事 族化合物半导体材料及表面物理、光电子器件的研究 赛小锋　男, 1963 年出生, 工程师, 专业为半导体器件 侯　洵　男, 1936 年出生, 研究员, 中国科学院院士, 主要从事瞬态光学和光电子器件的研究 收到,定稿 2 期　　米　侃等: 　研究与玻璃粘接的 外延层晶体质量的 射线衍射方法　　 GaA s GaA lA s X 153 2　实验 实验是在