TiN表面电子结构及TaN各相稳定性的第一性原理计算.pdfVIP

Ti N表面电子结构及TaN各相 稳定性的第一性原理计算 。摘 要 过渡族金属氮化物由于具有高强度、高硬度、耐高温，耐磨损以及良好的导’ 电性、导热性等一系列优点，并可通过化学气相沉积(CVD)，物理气相沉积(PVD) 原子层沉积(ALD)等方法制备，与硅器件工艺兼容，可以被广泛的应用于微电 ～ 子工艺中等，从而引起了广泛的关注。TiN，TaN便是其中重要的两种材料。 TiN由于其功函数大约在4．5电子伏特左右，与硅的功函数接近，从而是一种 很好的金属栅极候选材料而被广泛研究，但对TiN不同表面的功函数、表面能等 性质进行全面的计算分析还较少见到。作为可能出现的情况本文使用基于第一原 面)的功函数，态密度，分波态密度，表面能，并与体相材料的相应数据作了比 较。分析了在钨表面生长TiN择优取向为(111)面的原因，并得到了在SiO：和HfO。． 1)面Ti端面的结论。由于在TiN的制备过程中， 基底上生长的TiN薄膜可能是(1l (111)方向为择优生长方向，因此着重分析了(111)晶面的表面电子结构。计算得 到的晶格常数与试验值吻合的很好。计算结果表明在各个表面中11l=Ti面的功函． 数与试验值最接近，而其他表面的功函数与试验值都有较大的差距。各个表面的 面的导电性最强。 ． 本文第二部分又采用第一原理于的密度泛函理论计算了扩散阻挡层材料的 TaN材料各个相的晶体结构和电子结构，分析比较了不同相的稳定性。计算表明 六角密堆结构由于在费米能级附近有赝隙的存在，要比立方结构更稳定。CoSn 结构是所有结构中的基态。wC结构有最大的弹性模量。所有的结构都是导电的， 其中NaCI结构的导电性最强。 N；TaN；第一原理；密度泛函 关键词：Ti Fi rstPri nci PI eCaI CUI ati onofEI ectroni CStructure structure stabi l i ofTi NandTaN and ty Abstract a important metalnitrides technologically Thetransition represent interestbecauseitcanbe andownsawide deposed seriesofmaterials Vapor bvChemicalDeposition．(CVD)，Physical Vapor alsousedinIC otherswhichare AtomLayerDepostion(ALD)and transitions aretwoki·ndof nitr．ides· andTaN important Drocess．TiN isabout thatofSilicon，which·、 functionofTiN 4．5eV，near Thework