C和As共掺杂的γ-Si3N4电子性质的密度泛函理论研究.pdfVIP

Vo1．3O 高 等 学 校 化 学 学报 No．12 2009年 12月 CHEMICALJOURNALOFCHINESEUN1VERSITIES 2452—2454 C和As共掺杂的~,-Si3N4电子性质的 密度泛函理论研究 张玉芬，程秀凤，赵 显 (山东大学晶体材料研究所 ，济南250100) 摘要 采用密度泛函理论研究了C和As共掺杂的y-Si，N的电子性质．当晶体中少量的四配位硅原子被碳 原子所取代，同时用少量的砷原子取代氮原子，晶体结构的带隙可以被调整；当rg(C)／n(Si)一0．063，n (As)／n(N)一0．047时，材料会发生绝缘体到金属的转变．从态密度图中可以观察到价带顶端的能量明显上 升．讨论了关于这种共掺杂所引起的带隙较大减小的可能原因和潜在的应用． 关键词 密度泛函理论；电子性质；C和As共掺杂的 ．Si，N 中图分类号 O641 文献标识码 A 文章编号 0251-0790(2009)12-2452-03 高温亚稳态的立方尖晶石结构的氮化硅 (一Si，N)和其它氮化物的发现为此领域的研究提供了一 类新型的固态材料n ，而且因其卓越的机械、电和热性能n J吸引了实验 卜’和理论 nn方面的 广泛研究．根据第一性原理的计算 ¨’m，尖晶石结构的氮化硅和氮化碳被预测为具有宽的直接带隙 的半导体材料，其电光性能可与GaN相媲美 J．在这些包含有四配位和八配位的阳离子二元结构中， 第三元素的引入可以显著提高材料的性能，特别是难熔性和电子性质 ¨。。．众所周知，在GaN中掺杂极 低浓度的P元素可以对其电子性质产生较大的影响 ¨J．因此可以推测，在y—SiN共掺杂低浓度C 和As[．Si。N：(C，As)]有可能显著地改变材料的电子结构与物理性能．因此，研究这些体系的电子结 构及其性能非常必要．密度泛函理论(DFTr)方法已成功地应用于预测第四主(副)族元素的氮化物晶体 结构和性质 ¨．本文基于DVF理论研究了 -SiN：(C，As)的电子性质；希望可以提供关于尖晶石 结构氮化物的结构和性能之间的关系． 1 计算方法 采用基于DFY-l引的CASTEP4．1软件包 】计算确定了 一Si3N：(C，As)体系的稳定性与电子性质． 采用Vanderbih超软赝势 ]，结合 PerdewBurkeErnzerhof广义梯度近似(GGA—PBE) 交换关联势， 模拟所研究的体系．在计算 中 ．Si。N ：(C，As)体系的平面波展开的截止能量设为 320eV．选择 Monkhorst．Pack方案 的k点网格3×3×3用于体系Brillouin区的积分计算．以上截止能量和k点数 量的设置取得了良好的收敛性．为了讨论体系的电子性质，模拟了112个原子的超级晶胞(含2×2×2 原胞)，其中y—Si，N的初始结构取 自文献 [8]．在 一Si。N中先用c原子取代 si原子(C。i)，然后用As 原子取代 N原子 As(As)模拟 中性取代杂质，由此产生的超级晶胞可表示为 cSi挑一N斛一As (=1 8)．根据 Broyden—Fletcher．Goldfarb—Shanno(BFGS)方法 J，特定空间群下的几何优化允许晶 胞参数和内部坐标协调变化． 2 结果与讨论 根据我们的理论模型 ，．Si，N的带隙(E)为3．2eV，接近理论预测的3．45eV。和实验结果 收稿 日期：2009-03-02． 基金项 目：国家 “九七三”重大基础研究前期专项 (批准号 ：2005CCA00900)资助． 联系人简介：赵 显，男，博士，教授，博士生导师，主要从事晶体材料理论研究．E—mail：zhaoxian@sdu．edu．cn 张玉芬等：c和As共掺杂的y—si3N 电子性质的密度泛函理论研究 2453 3．3eV ] 但低于实验值4．3eV ]．虽然用GGA方法所计算的带隙有时不能很好地与实验结果相符 ， 合，但是GGA．PBE方法已经成功地应用于预测Y掺杂的y—Si，N体系的电