用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计.pdfVIP

doi：10．3969／j．issn．1003—353x．2009．12．003 用于 MEMS惯性器件的低噪声读 出电路设计 李金鹏l12，焦继伟 ，宓彬伟 ，张颖’，王跃林 (1．中国科学院 上海微 系统与信息技术研究所 传感技术联合国家重点实验室， 上海 200050；2．中国科学院 研 究生院，北京 100049) 摘要：给出了一种用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计 ，针对MEMS惯性器件大多采 用电容量输 出等特点，设计 了一个低噪声运算放大器，利用该运放 ，设计 了一种基于开关电容的 电荷转移 电路来将 电容量转换为 电压量 ，以便后续电路处理。采用 了相关双采样 (CDS)技术 ， 较大地减少了电路和 MEMS惯性器件的 1／厂噪声、热噪声，抑制 了零漂。采用 HHNEC0．35ttm CMOS工艺制造 ，面积为1mm×2mm，与 MEMS器件封装在一起 ，并进行 了实际测试 ，结果表 明，该读出电路基本满足要求 ，并具有较低的噪声。 关键词 ：低噪声 ；微电子机械系统；相关双采样 ；电荷转移 ；惯性器件 中图分类号 ：TN405 文献标识码 ：A 文章编号 ：1003．353x (2O09)l2．1162．04 DesignofaLow ·NoiseReadoutCircuitforMEMSInertialDevices LiJinpeng ，JiaoJiwei，MiBinwei，ZhangYing，WangYuelin (1．StateKeyLaboratoryofz md erTechnology，ShanghaiInstituteofMicrosystemandInformationTechnology，CAS， Shanghai200050，China；2．GraduateUniversityofCAS，Beijing100049，China) Abstract：A lOW—noisereadoutcircuitwaspresentedforMEMSinertial devices．A lOW’noiseopampwas designedaccordingtothecharacteristicsofmostMEMSinertialdevicesincludingcapacitanceoutputetc．And achargetransfercircuitbasedonswitched-capacitorswasdesingedtoconvert thecapacitancetovoltagefor furtherprocessing．Acorrelateddoublesampling(CDS)techniquewasadoptedtoreducethel／fnoise， thermalnoiseand suppressthezero—drift ofthecircuitand theMEMS inertialdevice．The chip designed measures1mm ×2 mm andwasfabricatedinHHNEC0．35／．tm CMOSprocess．Th echipwaspackagedwith theMEMSdevicetogetherinonepackage．Experimentsaretakentotestthecircuit，andtheresultsshowthat itcansatisfythegeneralspecificationrequiredbytheMEMS devicewith alowernoise． Keywords：low noise；MEMS；correlateddoublesampling；cha~etransfer； intertialdevice EEACC：2575F 往极微小 ，一般约在几十阿法到几飞法之间，而其 0 引言 寄生电容的作用相对较大…，这就要求读出电路的