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维普资讯 第 54卷 第 8期 2005年 8月 物 理 学 报 Vo1．54，No．8，August，2005 1000．3290／2005／54(08)／3745-04 ACTA PHYSICA SINICA ⑥2005Chin．Phys．Soc． Ce：Lu2Si2O7闪烁晶体的结构和光谱特性 严成锋 赵广军 杭 寅 张连翰 徐 军 (中国科学院上海光学精密机械研究所 ，上海 201800) (2004年 11月3日收到 ；2005年 3月 15日收到修改稿) 采用 中频感应提拉法生长出ce：LuSi0 (Ce：LPS)晶体 ．通过 x射线粉末衍射分析 ，晶体结构属单斜 晶系的 C2／m空间群 ．光学显微镜下可观测到晶体的(I10)解理 ．在室温下测试了Ce：LPS晶体 的吸收光谱 、激发光谱和发 射光谱 ．结果表 明，Ce：LPS晶体的吸收峰只有两个 ，分别位于 302和 349nm，且与激发峰 的位置一致 ，归 因于 ce“ 的4fl一5d跃迁 的特征吸收所致 ．发射光谱具有 Ce3典型的双峰特征，经 Gaussian多峰值拟合 ，带状谱是由384和 407am两个发射峰叠加而成 ，且后者 的强度 明显高于前者 ． 关键词 ：Ce：Lu：Si：0，，提拉法 ，晶体结构，光学特性 PACC：6150E，3250F，81IOF 1．引 言 2．实 验 近年来，以PbWO为代表 的低熔点闪烁材料得 2．1．提拉法生长 Ce：LPS晶体 到很大的发展 ¨ ．随着无机闪烁 晶体应用领域的 由于 Lu：Si：0，为一致熔融化合物 ，本文采用 不断拓宽，同时影像核医学诊断(X射线计算机断层 中频感 应提拉 法生 长 Ce：LPS晶体 ．以纯度 为 扫描成像和正电子发射断层显像)、油井勘测 以及高 99．99％的高纯稀土氧化物 Lu：0，，CeO：和 SiO：为原 能物理实验等不同应用领域对闪烁晶体提出的更多 料 ，配料前先预烧 原料 以除去 H0和 CO ．按化学 更高要求 ，一些性能 良好的高温无机 闪烁晶体被研 计量 比精确称料 ，所需原料总量约 430g，充分混合 制 ，如 Ce：YAIO3和ce：Lu：SiO等 ．因此 ，寻求具有 研磨均匀 ．在 200MPa压力下压制成块 ，然后将料 高光输出、快衰减的闪烁晶体 已成为人们研究的一 块放进炉子里并在 1400cI=下烧结 15h成 LPS多晶． 个热点 ． 整个固相反应的化学方程式如下 ： 铈掺杂焦硅酸镥 Lu： )ce：Si：0，(Ce：LPS)， (1一 )Lu203+2SiO2+2xCeO2 1999年首次被法 国人 Pauwels等 作为闪烁晶体加 = Lu2(h)Ce2Si207+x／202十， 以研究 ．由于 Ce：LPS具有低熔点(1900℃)、高光输 其中 =0．3mo1％． 出(光子数26300--33000／MeV)、快衰减 (30IIS)、无余 把多晶LPS投料到尺寸为 mm×30mm小铱 辉且 能在 450K 下 可保持 高 的发 光效率 等优 坩埚内，在高纯氮气的保护下，籽晶转速为 10r／rain、