a—Si／SiO2多量子阱材料制备及其晶化和发光.pdfVIP

维普资讯 2l1，．22L 第18卷 第3期 发 光 学 报 。ll8·No3 l997年9月 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE Sept．1997 a—si／sio：多量子阱材料制备及其晶化和发光 成步塞 余金中 于 卓 王启明 ●- _ ● _ _ 一 (中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室，北京 100083) 雌 黄信凡 丁?V；D (南京大学 固体徽结梅物理实验室，南京 210008) 472．3 摘 要 本文研究用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)方法淀积SiO：和非晶硅 (a—Si)时淀 积速率和薄膜折射率与淀积条件的关系．选择合适的淀积条件制备 了a一~．／SiO 多量子阱结 构材料．用激光扫描退火方法使其晶化，当8一si和SiO：层厚度分别为4血 和6哪 时，形 成了颗粒大小为3．8I1IT1的硅晶粒．晶化后的样品在 lOK下可以观察到较强的光荧光发射， 三个峰值波长分别为810、825和845nm． 美蕾词 荧光 1 引 将光电子技术与成熟的Si基微电子技术结合起来，实现光电子集成是现代信息技 术发展的主要方向之一．Si的非直接能带结构决定了其发光效率很低，这成为实现Si基 光电子集成的主要障碍． 如何提高 基材料自发光效率是人们考虑的重要课题．特别是制作具有纳米尺寸 的量子点结构材料 ，利用量子限制效应可望其能有较高效率的发光 ．南京大学陈坤 基教授等用晶化a-Si／siaN。多量子阱材料的方法制备出了室温可见光发光的材料Ⅲ．本 文介绍一种构造Si纳米尺寸量子点材料的方法，并研究其光荧光特陛． 选择适当的条件制备 出a—Si／SiOz多量子阱结构材料，在适当的条件下进行结晶， 由于a-Si层的上下均为稳定的SiOz层，a—Si层在结晶过程中晶粒的长大会受到SO| 层 的限制．根据热力学理论，实际上在a-Si结晶过程中，晶粒会长大成球状 ，三个方向的 长大均会受到限制，使其晶粒的尺寸不会大于atSi层的厚度．因此，只要淀积的a-Si层 厚度为几个纳米，则结晶后形成的Si晶粒为几个纳米大小，形成所谓的量子点结构．根 ● 据量子限制理论，这种材料可望获得较高的发光效率 PECVD的淀积速率很快，一般在 每分钟几十纳米以上．要用PECVD系统制作层厚为几纳米的a．Si／SiO 多量子阱结构 材料，必须使其淀积速率降低到每分钟几纳米的水平，并要有好的重复性．本文摸索了 用PECVD方法淀积a—si和si 时淀积速率与淀积条件的关系，找到低速淀积a-Si和 SiOz的条件．根据这些结果制备了层厚精确控制在几个纳米的a_si／Si0 多量子阱材料． 1997年 1月9日收到 维普资讯 发 光 学 报 第 18卷 研究了其晶化条件及其晶化后的光荧光特性． 2 实验方法 淀积a—Si、SiO2薄膜和a—