界面对PZT铁电薄膜性能的影响.pdf

摘 要 摘要 AB03系钙钛矿结构铁电薄膜是一类强介电材料，其介电常数可高达102～ 106，由于具有优良的铁电、压电、热释电、电光、声光及非线性光学特性，具 有其它材料不可比拟的优越性能，使得它在红外探测器、非挥发存储器、电光器 件、机电耦合器件等众多方面具有广泛的应用前景。自20世纪90年代以来，一 直是新型功能材料领域的研究前沿和热门，其中PZT由于剩余极化大而尤其受 到人们的青睐。 对于薄膜，在较低的温度甚至室温下就可能发生显著的反应或互扩散。然而， 在铁电薄膜／衬底间的互扩散和界面的结晶膜不好导致铁电体性能下降的问题一 直未能得到很好的解决。PZT薄膜器件的基本结构是铁电薄膜夹在作为上下电极 的导电膜中构成的“三明治”结构，在铁电薄膜／上下电极间会形成一层界面，会 影响铁电薄膜的性能。 本文的目的是利用射频磁控溅射工艺在硅基(三种si衬底：P型低阻Si(111) 备PZT铁电薄膜，分析界面对PZT铁电薄膜性能的影响。主要的工作内容包括 以下几个方面： (1)LNO底电极的制备 以p-Si为衬底，在不同的衬底温度下沉积LNO底电极薄膜，经不同的退火 L