第七章-金属和半导体的接触.pptVIP

扩散方向与漂移方向相反 无外加电压： 扩散与漂移相互抵消—平衡； 反向电压： 漂移增强——反偏； 正向电压： 扩散增强——正偏 3、势垒宽度与外加电压的关系 势垒区的宽度： 1、无外加电压，即 2、有外加电压，即 V 0， d 正↓正向电压使势垒区变窄 V0， d 负↑反向电压使势垒区变宽 势垒的高度和宽度都随外加电压变化： 求通过势垒的电流密度为漂移电流和 扩散电流之和： 漂移电流 扩散电流 J 将 带入上式得 J 解上方程并代入边界条件： 其中， 电流密度变化的讨论： 其大小主要决定于指数因子， J随外加电压V成指数变化 该理论是用于迁移率较小，平均自由程较短的半导体，如氧化亚铜。 7.2.2 热电子发射理论 起决定作用的是势垒的高度，而不是形状。当电子动能势垒顶部时，电子可以自由越过势垒进入另一边 。电流的计算即求越过势垒的载流子数目。 热电子发射理论 当n型阻挡层很薄时，即电子的平均自由程大于 势垒宽度。扩散理论不再适合了。电子通过势 垒区的碰撞可以忽略。 1、热电子发射理论的适用范围 ln d —适用于薄阻挡层 —势垒高度 k0 T 非简并半导体 2、热电子发射理论的基本思想 薄阻挡层，势垒高度起主要作用。 能够越过势垒的电子才对电流有贡献 ——计算超越势垒的载流子数目，从而求出电流密度 3、势垒区的伏安特性 半导体一侧，只有能量大于势垒的电子才能越过势垒：