ZnO%2fPS复合体系的光学和电学性质.pdf

塑垩 ．1=望。．皇壁墨!!垒 摘要 §光器件在照明及全彩显示等领域有巨大的应用价值，引起了人们的广 主。本课题根据多孔硅(Poroussi，PS)和znO光致发光谱的特征，拟 箩层膜发光的形式实现白光发射。在多孔硅上沉积znO薄膜，详细研究 O／Ps复合体系的结构形貌及光学和电学性质。 畏用阳极氧化方法，通过调节氧化电流密度和腐蚀时间，制备出不同孔 |勺多孔硅村底，然后用脉冲激光沉积的方法生长ZnO薄膜。X射线衍射 ：RD)和扫描电子显微镜(SEM)测量表明，在孔隙率较大的多孔硅上 |勺znO薄膜为非晶结构，并且znO薄膜的表面有许多裂缝和空洞。从 内截面sEM图看到，ZnO可以进入多孔硅孔中，这些znO的“钉子” rznO和衬底间的附着性。 多孔硅的制各电流密度、znO薄膜的生长温度和激发波长都会影响 ，s复合体系的光致发光谱。多孔硅粗糙的表面结构虽然不利于高质量 O薄膜的生长，却能增强ZnO薄膜的深能级发光，复合体系在适当波 七激发下，呈现白光发射。 寸znO伊S异质结的I—V特性曲线的测量表明，异质结呈现出与普通二 F同的整流特性，其反向电流不饱和。通过对特性曲线的拟合，提出了 蓖流子隧道效应的能带模型。 词：白光发射；多孔硅；氧化锌；能带模型 ABSTRACT II andElectrical ofZno／PS optical properties system composite Abstract：TheachievementofSi_baSedwhite emissionisoneoft11e ／ light inmefieldof a11d goals displaylightingtechnologies．In血is challenging wasusedt0realizewhite to new the。 dissertation，away li曲temission．According ofme zinc charact硎stics photol啪inescence(PL)ofporoussilicon(PS)aIld w11ite wasobtained bycombining oxide(ZnO)，intensivelyphotoluminescence f如mZn0filmswith恤eredemissionfrom the emission porous blue—green silicon lmdcr excitation laycrs proper wavelen百h． The silicon wasf0衄edelec仃ochemicalanodizationof porous sample by siliconwafers．Zn0nlmswere廿len on siliconsurface d印ositedporous