组成原理演示文稿 第三章 存储系统part2.pdf

计算机组成原理 Principle of Computer Organization 第三章存储系统 第二部分 北京邮电大学 戴志涛 计算机学院 计算机学院 2012/3/20 1 Nonvolatile Memories  Masked ROM (ROM)  Data are written permanently during the manufacturing  High density and low cost One Time Programmable ROMs (OTP ROM, PROM)  User programmable only once, Flexible and low cost  UV Erasable PROM (EPROM)  User programmable multiple times, Flexible, erased by UV 2  Electrically Erasable PROM (E PROM or EEPROM)  Erased by high voltage  Flash Memories  Block/page erasable by regular supply voltage 计算机学院 2012/3/20 2 UV EPROM的型号举例 2716 16kbit 2k×8bit 2732 32kbit 4k×8bit 2764 64kbit 8k×8bit 27128 128kbit 16k×8bit 27256 256kbit 32k×8bit 27512 512kbit 64k×8bit 27010 1024kbit 128k×8bit 27020 2048kbit 256k×8bit 27040 4096kbit 512k×8bit 27c040 CMOS EPROM 计算机学院 2012/3/20 5 27C040 512k ×8bit EPROM A0~A18 ：地址线 D0~D7 ：数据线 #OE ：输出允许 #CE/#PGM ：片 选信号和编程脉 冲输入端的复用 管脚 Vpp ：编程电压 输入端 计算机学院 2012/3/20 6 27C040的真值表 *:编程时, #PGM为50毫秒左右的负脉冲 计算机学院 2012/3/20 7 27C040 Block Diagram 计算机学院 2012/3/20 8 UV EPROM [例3] CPU 的地址总线A15-A0 ，数据总线D7-D0 ，访 存允许信号MREQ ，读写选择信号R/W 。 主存地址空间分配：（十进制地址，按字节编址） 0-8191为系统程序区，