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摘要
Ti02半导体材料化学性质稳定，无毒，在紫外光照射下具有极强的氧化还原性，在
光催化和太阳能电池方面具有广泛的应用前景。但是Ti02属于宽禁带半导体(3．2eV)，对
太阳能的利用有限，同时光生电予空穴对易复合，闪此实际应用受到很大限制。本文针
对Ti02的实际应用存在的问题，我们从Ti02的禁带宽度入手，研究了不同金属离子掺杂
对TiO：禁带宽度影响。通过掺杂改性得到了吸收边巨红移的Ti02薄膜和粉末，极大地增
加了Ti02材料对太阳光的利用。
首先，制备方法对材料的性质影响很大，不同的制备方法所制备得薄膜的特性也有
所不同，本文采用脉冲激光沉积的方法制备了不同金属离子掺杂的Ti02薄膜，通过研究
掺杂浓度，氧偏压，衬底温度，后续退火温度等实验条件对Ti02纳米薄膜性质的影响，
得到了各金属离子的最佳掺杂。实验发现，V-Ga共掺杂都能够极大地减dxTi02的禁带宽
度，使吸收边越过可见区域，实现了吸收边的巨红移，V-Ga共掺杂的最佳比例是l：0．5，
1．34eV；2％Fe掺杂也能将Ti02的禁带宽度减小
大，l％的Mn掺杂能将Ti02的能隙减d,N
到2．56eV；稀土金属离子由于半径较大，很难进入Ti02的品格，所以对Ti02的吸收边的
作用不明显。
其次，采用溶胶凝胶法制备了Mn掺杂的Ti02纳米粉末，通过可见光催化亚甲基蓝
的实验检验了掺杂效果。实验发现，纯Ti02在可见光下的催化效率非常低，而Mn掺杂
后的Ti02对可见光有很好的吸收，因此具有很好的光催化效果。
关键词：二氧化钛；能隙，金属离子掺杂；巨红移
ABSTRACT
chemical and oxidation
a stable high
Titanium property，nontoxic
dioxide(Ti02)，withvery
interestforits in
extensivescientific performances
attractedan good
ability，has
andits insolar
of molecules
oxidation application
photocatalyticorganic
for
wide of eV
theintrinsic Ti02
are limited gaps phases(3．2
potentialsseriouslyby energy
tobeviable
desirablefunctionalities
and3．0eVfor confinestheir only
anatase rutile)，which
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