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摘要
铁电薄膜有着非常广泛的应用，利用铁电薄膜的自发极化取向随外场的方向
而发生的变化以及在外场撤去之后的极化保持特性能，可应用于非挥发存储领域，
如铁电非挥发薄膜随机存储器件。
首先本文讨论了溶胶凝胶制备钛锆酸铅(PZT)薄膜的工艺，对工艺步骤做
出了优化处理，快捷简便地制出高质量的铁电薄膜材料。对制作的PZT薄膜进
行了电滞回线、极化保持性能，疲劳等电学性能的测试。通过实验，得出了电畴
翻转电流的变化趋势，其中PZT膜的电畴的翻转时间可长达0．2．0．3ms。
料，并在上面利用溶胶一凝胶法制备了PZT铁电薄膜。在对PZT／A1203双层膜
的电学性能测试中，发现了高k介质层对PZT薄膜的疲劳、保持特性等都有所
改进。通过对双层膜电滞回线和XRD衍射峰的分析，确认了越203对PZT晶体
生长的促进作用。
偏氟乙烯聚合物(P(VDF—TrFE))是一种应用十分广泛的有机铁电材料。本
究。通过XRD图，确定其晶相，之后测试了薄膜的电滞回线、疲劳、保持、电
容一电压(C—V)特性。通过对不同电极薄膜的电滞回线的对比，发现电极与薄
膜之间形成了一层界面层，该界面层对薄膜的铁电性能产生了负面的影响。本文
通过引入PSSH有机膜作为缓冲层，将电极和铁电层隔开，使得电极与薄膜不能
直接接触，抑制了界面反应，改善了P(VDF．TrFE)膜的疲劳及保持特性。
我们还通过SPM技术测量了P(VDF．TrFE)膜的压电特性。测量了退火前后
的薄膜表面形貌的差别。通过压电回线研究了P(VDF．TrFE)单畴翻转的过程，并
解释了通过压电回线所得到的矫顽场低于宏观电学测量的矫顽场的原因。
关键词：PZT SPM
P(VDF—TrFE)制备工艺PZT／氧化铝双层膜PSSH
Abstract
Ferroelectricmaterialshavebeen usedbecauseoftheir
widely unique
properties．
beswitchedin
Theferroelectric can adifferentdirectiontostorethe
polarization logic
for memories．
informationthe
PZTthinfilmswere via
Sol—gel
prepared
weremeasured．The ofPZTWasstudied．
fatigue
hysteresisloops，retention，and switchingprocess
doamain understandthekinetics
currents，we ofPZTdommn
Byvaryig switching switching．
was ALD Oll substrates．
method
High—kAi203layerdepositedthrough Pt／Si02
After
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