InGaAs／InP SAGCM-APD的器件模型及其数值模拟.pdfVIP

维普资讯 《半导体光电~2007年 1O月第 28卷第 5期 高新江 ： InOaAs／InPSAGCM—APD的器件模型及其数值模拟 InGaAs／InPSAGCM-APD的器件模型及其数值模拟 高新江，张秀 ／『，陈 扬 (重庆光 电技术研 究所 ，重庆 400060) 摘 要： 基 于泊松 方程 和载流子连 续性 方程，导 出了InGaAs／InPSAGCM—APD(吸收、渐 变、电荷、倍增层分离结构雪崩光电二极管)特性的数学模型，利用数值计算工具对其进行 了数值模 拟，得到 了APD内部 电场分布 、增益特性、暗电流特性 、过剩噪声和增益带宽特性等的数值结果。 模拟结果与实际器件特性测量结果相符合，表明运用该模型与数值模拟方法可对不同结构参数的 InGaAs／InPSAGCM—APD进行结构设计、工艺改进和特性分析。 关键词： InGaAs／InP；SAGCM—APD；器件模型；数值模拟；器件特性 中图分类号：TN312．7 文献标识码 ：A 文章编号 ：1001—5868(2007)05—0617～06 DeviceModelandItsNumericalSimulationofInGaAs／InPSAGCM-APD GAOXin—jiang，ZHANGXiu—chuan，CHENYang (ChongqingOptoelectronicsResearchInstitute，Chonqging400060，CHN) Abstract： ThedevicemodelofInGaAs／InPSAGCM—APD(separateabsorption，grading， charge，andmultiplicationavalanchephotodiode)wasconstructedbasedonPoission’Sequation and carrier continuity equation， and simulated by using numerical too1． The resulted characteristicssuch aselectric field profile， multiplication，dark current，excess factor and multiplication-bandwidth ofmode1APD were consistentwith themeasured valueofpractica1 APD．It showsthat to analyze the characteristics，to optimize the structure designsand to improveprocessingofdifferentstructuresofAPD maybenefitfrom makinguseofthismodeland simulationmethod． Key words： InGaAs／InP； SAGCM—APD； device mode1； numerica1 simulation； characterjstjcsofAPD 1 引言 望性能和制造实际性能，本质上决定于器件 内部的 电场强度和分布，建立 InP／InGaAsSAGCM—APD 吸收、渐变 、电荷 、倍增层分离结构的磷化铟 ／铟 器件模型，数值模拟器件行为和端功能特性 ，有助于 镓砷雪崩光 电二极管(InP／InGaAsSAGCM—APD) SAGCM-APD结构设计优化与衡量工艺实现途径 具有高量子效率、高增益带宽积 、低暗 电流等优 合理性 。 点L1]，在长距离高速光纤通信系统、眼安全激光通信