Cl2%2fCH4%2fN2感应耦合等离子刻蚀InP端面的研究.pdfVIP

光电子·激光 第17卷增刊2006年6月 Journal ofOptoelectronics·Laser C12／CH4／N2感应耦合等离子刻蚀InP端面的研究+ 陈 磊1’2，张 靖2，毛谦1 (1．武汉邮电科学研究院，武汉430074；2．武汉光讯科技股份有限公司，武汉430074) 摘要：首次采用CIz／CH。／N。作为刻蚀气体，系统地研究了感应耦合等离子体干法刻蚀过程中工艺参数 对InP材料端面刻蚀的影响。通过优化工艺参数，获得了光滑垂直的InP刻蚀端面，刻蚀速率达到841 nm／min，与Si02的选择比达到15：1。 关键词：感应耦合等离子体；干法刻蚀；InP；刻蚀速率 ofInPC12／CH4／h2 Etchingby Inductivelycoupledplasma Chen Qian Lei，ZhangJing，Mao (WuhanResearchInstituteofPT，Wuhan430074China) ofInPwas forthe Abstract：Inductivelycoupledplasma(ICP)dryetching performedusingC12／CH4／N2 firsttime．Theeffectsofvarious conditionsonthe ofInPfacetare dis— etching etching systematically cussed the sidewallandsmoothsurfacecanbeobtained．The Byoptimizingetchingparameters，vertical etchrateachieves841 the ratiooverSi02isestimatedtobe than nm／min，andselectivity higher 15：1． rate Keyword：inductivelycoupledplasma；dryetching；InP；etch 1 引言 2实验方法 近年来，ICP(感应耦合等离子体)刻蚀技术作 刻蚀样品为n型(100)InP衬底，刻蚀掩膜为 为一种新兴的高密度等离子体干法刻蚀技术，在对 PECVD方法沉淀的SiO：(厚度300nm左右)，在 硅、二氧化硅、Ⅲ一V族化合物等材料的刻蚀方 Oxford System 面获得了很好的效果，已被广泛应用到了各种光电 80型设备上进行。首先用常规的光刻技术给掩膜 子器件的制作工艺中。目前，人们已经采用这一技 制作图形，光刻胶采用AZ5214，掩膜的刻蚀采用传 术制作了基于InP材料的半导体激光器谐振腔端 统的反应离子刻蚀(RIE)，刻蚀气体为CHF。／o。。 面、激光器与探测器集成器件之问的端面、分光 镜面、衍射光栅等[1】。在以上制作工艺中，要求刻 刻蚀实验均在Oxford 蚀端面具有良好的平整度和垂直度，以及高的刻蚀 的PlasmalabSystem100型ICP干法刻蚀设备上 速率和选择比。 进行，采用CI：／CH，。／N。作为刻蚀气体，研究RF 影响