不同应用状态下80C196KC单片机γ总剂量效应异同性研究.pdfVIP

曹雷团，崔帅，牛振红等：不同应用状态下80C196KC单片机Y总剂量效应异同性研究 不同应用状态下800196K0单片机y总剂量效应异同性研究 曹雷团，崔帅，牛振红，李志峰，张力 (北京航天长征飞行器研究所，北京9200信箱76分箱6号，100076) 摘要：本文以intel公司生产的80C196KC20为主要试验件，分别在程控计算机系统和单片机测试系统 上进行Y总剂量试验，比较两系统之间的总剂量损伤差异，进一步探讨80C196KC20的总剂量损伤效应． 关键词：80C196KC20，总剂量效应，抗辐射加固 随着微电子技术和航天技术的发展，电子系统实现微电子化、微机电化、微机械化和信息一体化、 多维化已成为必然的发展趋势，单片机等大规模集成电路已经越来越多的得到应用。由于单片机系统 多由CMOS工艺的器件组成，对电离总剂量辐射特别敏感，而且当单片机芯片应用于不同的运行环境 计算机系统和单片机测试系统上进行Y总剂量试验，比较两系统之间的总剂量损伤差异，进一步研究 80C196KC20的总剂量损伤效应。 1试验系统 1．1程控计算机系统(A系统) 扩程序存储器单元模块、功率驱动电路单元模块、485数据通讯单元模块以及复位电路单元模块等几部 分组成，原理框图如图l所示。 图1程控计算机系统原理框图(A系统) 语言编制而成。软件系统主要由时序参数装订单元模块、时序参数读取单元模块、系统定时单元模块以 及时序控制单元模块等几部分组成。 系统的时序控制参数保存在非易失性存储器E2pROM中，系统正常工作后将时序控制参数从E2PROM 中读出进行时序控制。本时序控制系统运行过程中系统内部寄存器以及执行程序指令的覆盖率超过 90％。 137 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集 1．2单片机测试系统(B系统) B系统由功能评估板、在线仿真器(ICE)、电参数测量仪器和PC机及测试软件组成。评估板由试 验器件(DUT)、外部存储器电路和参数测量接口。系统采用延时用程序来实现，对寄存器赋值，靠循 环语句等软件延时。 图280C196电离辐射损伤测试系统结构示意图(B系统) 2试验方法 2．1模拟源 试验在中科院新疆理化技术研究所15万居里水贮式印coY辐射源号上进行。试验剂量率 563rad(Si)／min。 2．2测试方法 对于A系统，采用示波器监测其输出波形，另外采用计算机监测单片机串口通信情况；对于B系 统，采用示波器和万用表监测其各参数变化。另外在试验中各剂量测试点，将两个系统的核心器件 产批次。 当两套系统辐射到一定剂量点后，在以下三种工作状态下进行单片机参数监测：一是电路在正常 工作状态下运行；二是电路在休眠模式下运行(电路仍然加电，内部CPU时钟被“冻结”，而与外部设 备有关的时钟仍在工作)；三是电路在“掉电模式运行(电路仍然加电，但内部振荡器被关闭，所有 内部电路被“冻结”于固定的电平)。 系统A与示波器之间采用电缆连接，通过观测系统输出波形对受照样品功能进行在线检测，而单 片机串口通信测试是在每个预定剂量点到达后进行。 系统B在每个预定剂量点到达时，对受照样品进行功能和电参数移位测试。测试电参数为：工作 电流(Icc)，待机电流(ImL)，掉电电流(h)及部分管脚的波形。 从测过初值的样品中抽取两片，分别置于系统A上和系统B上，为突出试验器件，将测试系统其 他部分用铅室屏蔽，使受试器件置于60CoY辐射场中，对受试器件进行辐照，辐照过程中系统A用示 波器对受照样品功能进行动态检测。当达到每个预定的剂量时，降源，先取出系统B上的样品，在系 统A上进行功能测试。然后取出两套系统的样品在系统B上进行功能测试和电参数测试。最后进行串 口通信测试。 3试验现象 138 曹雷团，崔帅，牛振红等：不同应用状态下80C196KC单片机Y总剂量效应异同性研究 3．1试验初值 件的初值一致性较好。 表1样片初值的统计表 从表l可以看出16只样本的初值一致性非常吻合，经过样本摸底，总剂量辐照中，系统变化最大 的为工作电流、