采用磁控管方式溅射的电子回旋共振等离子体沉积技术的研究.pdfVIP

胡希忠廖军 (安源实业股份有限公司工程玻璃厂 江西萍乡 337000) 摘要将磁控管方式溅射用于微波ECK等离子体沉积技术。在低气压和低温下沉积了高度c轴取向的ZnO薄膜，其 膜的沉积速率比普通ECK溅射中所得到的速率大得多，并且在q)12cm的膜区域内显示出良好的均匀性。 关键词磁控管方式溅射ECK等离子体ZnO薄膜 1概述 一定电流磁体线圈 溅射是在真空条件下沉积薄膜的最重要工艺之一。自 (水冷)，在室内适当的 80年代以来．磁控管溅射方法在制造计算机磁盘及其他器 区域产生ECR条件 件中起着非常重要的作用。它比DC溅射，RF溅射具有更高 的磁场(875高斯)。在警 的沉积速率。然而，就这种方法沉积金属化合物而言，难以满 10-2帕低气压下。波 足反应溅射中的高沉积速率和完全反应的要求．即改变薄膜 与电子发生共振。耦 的化学计量比，制作薄膜是有困难的。为了控制薄膜的成分、 合电离中性气体。产 Z。m 晶体结构、晶粒大小和缺陷，必须研究膜制备技术，开发新的 生高密度的等离子 图2腔内磁场位形分布 膜制备方法。 体。磁场强度从等离子体室到膜沉积室逐渐减小。如图2所 微波ECR等离子体方法来源于可控核聚变研究中的电 示。所产生的ECR等离子体中的离子在靶电压的作用下，对 圆筒状金属靶产生溅射。在发散磁场的作用下，溅射粒子在 子回旋共振加热(ECRH)技术。经过二十多年的研究与发 展，80年代起逐步被开拓应用到材料科学中来。ECR等离子靶口前方的基片上沉积出薄膜。 体比DC、RF放电产生的等离子体具有无极放电、离高质量 磁控管方式溅射用的圆筒靶放置在水冷靶座上。溅射气 化率高的特点。在低气压下产生高密度的等离子体，并受磁 体(Ar)引入等离子体室反应。 场约束，减少了等离子体与器壁的相互作用。用发散磁场的 气体O：引入沉积室。装置的抽气系统由机械泵(抽速为 微波ECRPCVD技术，可在室温下f无须加热基片，由于等离 8L／S)和涡轮分子泵(抽速为450US组成)。 子体加热效应基片温度一般不超过50℃，有时会升高，但不 3磁控管方式溅射用靶结构 超过150℃)沉积出Si3N4、SiO2、a—Si—H等优质膜，在低温 没有加磁控管的ECR溅射方法中，外磁场在腔内产生 下气相外延生长GaAs膜、金刚石薄膜、BN膜。并且用微波的磁通会穿圆筒靶表面。放电时，由于离子的轰击，从靶表面 ECfuP CVD技术已成功地制备了高质量的薄膜。 发射的高能电子，绕着磁力线作圆周或螺旋运动，很容易撞 本文讨论了采用磁控管方式在低气压下产生ECR等离 在腔壁被复合消耗。因而靶的溅射速率低。为了提高溅射速 子体，实现磁控管方式溅射，研究了该溅射法的放电特性，并 率，我们将圆筒状靶设计成磁控管溅射的方式。溅射靶结构 在低温下沉积出高度C轴取向的ZnO薄膜。 示于图3，圆筒靶直径为7cm，高度6cm，靶与一个连接直流 2实验装置 电源的靶基座相接，并且水冷却靶座。靶由5个支持环支撑， 两个顶环和两个底环用纯铁制作，中间的环用不锈钢制作。 图1示出微波ECR由于利用了4个纯铁支撑环，腔内发散磁场在靶表面上容易 等离子体溅射装置。使用 形成局部磁场。 2．45GHz的微波源，功率 如图4所示。局部磁场有效地产生磁控放电(ExB)。为了 连续可调(o～5千瓦)。微 形成等离子体流仍维持发散磁场。局部磁场从靶表面扩张很 波通过BJ22标准的矩形 小。利用局部磁场来改变电子的运动轨道将它较长时