镁橄榄石复合碳纳米管和碳化硅微波衰减材料介电性能的研究.pdfVIP

镁橄榄石复合碳纳米管和碳化硅微波衰减材料介电性能的研究 杨艳玲鲁燕萍杜斌杨华猛 北京真空电子技术研究所北京100016 摘要：本文以镁橄榄石陶瓷为基体，分别以碳纳米管和碳化硅为衰减剂，制备了致密的镁橄榄石复合碳 纳米管和镁橄榄石复合碳化硅微波衰减材料。利用矢量网络分析仪测量了x波段和W波段下复合微波 衰减材料的介电性能，对比了75GHz一110GHz下M2S—CNT复合微波衰减材料与多孔氧化铝渗碳陶瓷的 介电性能。 关键词：碳纳米管；碳化硅；镁橄榄石陶瓷；介电性能 1． 引言 目前，耦合腔行波管中应用最广泛的慢波结构是休斯型单交叉耦合腔链，在一定条件下，它很容易 满足产生上边频振荡的必要和充分条件，采用谐振损耗技术可以抑制带边振荡，即通过调整衰减钮扣的 谐振频率，对某些容易产生自激振荡的频率点上的微波功率进行选择性衰减u1。谐振损耗技术的基本要 求是引入谐振损耗后，对管子的工作频带、增益和功率等主要性能基本无影响或影响很小，即要求衰减 纽扣用衰减材料的介电常数和损耗都小。集中衰减器应用在回旋管中起着信号全吸收、降低反射和有选 择的抑制各种模式杂波的作用，所以要求集中衰减器要有足够大的衰减量及机械强度，以保证在管子制 备及使用过程中不受损坏。 对衰减材料的调整主要从以下两个角度出发：一方面是微波电真空器件的设计者从结构及其在管中 安装位置等角度出发，进行模拟、计算及设计；另一方面是衰减材料的制备者从材料微观结构及介电性 能等角度出发，进行配方和工艺的设计及调整。微波衰减材料是由衰减相和介质相组成的复合材料，介 质相作为载体，衰减相均匀分散于介质相中[2]。国内衰减材料使用较多的是多孔氧化铝渗碳陶瓷，它存 在渗碳材料工艺复杂、产品强度和热导率较低、高真空下易放气的缺点，但是因为多孔氧化铝渗碳陶瓷 是多孔结构，内含很多空气，而空气介电常数为1，所以整体衰减材料的介电常数较低，频率匹配性好， 而且多孔氧化铝渗碳陶瓷衰减量可以通过渗碳工艺来调节，以满足管子需求，因此它在微波管中还有相 当的应用【31。但随着微波管向高频高功率的发展，多孔氧化铝渗碳陶瓷己无法满足微波管的研制需求， 需要研制新型衰减材料。 本文以镁橄榄石瓷(M2S)作为衰减材料的介质相，镁橄榄石瓷的介电常数比较低【4J，约为3—5，有助 于降低复合材料整体的介电常数，这对制备低介电常数高损耗衰减材料是非常有利的。本文在前期工作 中，使用碳化硅(a—SiC)作为衰减剂，制备出了新型A1N．SiC复合微波衰减材料，并成功应用于某管型， 所以在本实验中选择SiC做为衰减剂进行研究，以制备出致密的M：S—SiC微波衰减材料。本文还选用碳 nanombes，CNT)作为衰减剂，CNT热导率高，有中空结构，具有很强衰减力，与镁橄 纳米管(ca而on 榄是陶瓷复合可以在低温下制备出致密、内含微孔的M2S．CNT微波衰减材料。 2．实验过程 2．1材料制备 以本所自制镁橄榄石瓷粉(M2S)和外购的CNT、SiC按照一定质量百分比配料，加入研磨球和研 磨介质进行球磨，烘干后过筛，加入粘结剂造粒后再冷等静压成型，在高纯氮气保护气氛中于1300℃ ．1400℃之间烧结。 2．2性能测试 用光电天平(DT．100)根据阿基米德原理测量计算衰减材料的体积密度。用扫描电镜观察陶瓷的 显微结构。J黾Agilent矢量网络分析仪根据波导型反射传输法测量微波衰减材料在x波段 GHz．110 GHz)的介电性能。介 f8．2GHz一12．4GHz)的介电性能，并测量衰减材料在超高频W波段(75 电性能用材料在使用频率范围内的复合介电常数表征，复介电常数的表达式为：占=占’一je”，介电损耗 角正切表达式为：tg万=占”／占’。 3．结果与讨论 3．1M2S-CNT微波衰减材料 图l是添加不同含量CNT的M2S．CNT微波衰减材料在x波段介电性能，该系列样品编号为MC，有 之间，损耗在0．45．0．66之间。在MC体系中，样品MC2介电常数和损耗都比较小，而且随频率变化波动 较小，符合衰减纽扣介电性能的要求。MC4样品介电常数和损耗都较大，符合微波电真空器件用衰减 器的要求。MCl和MC3样品匹配和衰减性能都较好，符合衰减器介电性能的要求。