纳米掺杂SnO2的研究及其第一性原理的计算.pdfVIP

刘志勇等：纳米掺杂Sn02的研究及其第一性原理的计算 纳米掺杂Sn02的研究及其第一性原理的计算木 刘志勇，郑 冀，李松林 (天津大学材料科学与工程学院，天津300072) 摘要： 利用castap软件计算了co以不同比例掺杂 面体空隙，Sn占据晶胞的顶角和中心，阴阳离子配位 sn02的电子结构，分析了掺杂及掺杂比例对改善sn02 导电性的作用，建立了纯Sn02计算模型．计算结果表数为6：3。其单晶胞如图1所示。 明：纯Sn02是一种包含离子键的共价键直接禁带半导 体；通过掺杂能够在一定程度上改变成键性质，使其具 有金属键性质，从而提高sn02导电性．其中，掺杂比 率为5％的价带到中间能级宽度最小，掺杂原子与其邻 近原子的电荷重叠区更明显，系统电子共有化程度最 高，费米能级处对电子态密度的贡献也最大，因此掺杂 比率为5％的导电性最好。 关键词： 第一性原理；Sn02；电子结构：掺杂 中图分类号：TN304．2．1 文献标识码：A 文章编号： 1001．9731(2007)增刊一0539．04 图1 Sn02单胞 1 Sn02 1 引 言 Fig singlecrystal 2．2计算方法 随着开关电器的小型化、长寿命和工作可靠性要求 文中所有的计算工作都是由Castap软件完成的。 的不断提高，尤其是AgCdO电触头材料中含有有毒金 Castap【9】软件是一个基于密度泛函方法的从头算量子力 属Cd，因此很多国家已经明令禁止使用含有Cd元素的学程序，利用总能量平面波赝势方法，将离子势用赝势 电触头，并寻找替代品，并使这种材料的综合性能高于 替代，电子波函数通过平面波基组展开，电子．电子相 AgCdO材料。在所有的替代物中AgSn02由于其优良的 互作用的交换相关势由局域密度近似(LDA)或广义体 抗电弧侵蚀性、耐磨损性和良好的抗熔焊性等性能而成 度近似(GGA)进行校正，它是目前较为准确的电子结 为最有希望的一种材料【1娟】。 构计算的理论方法‘10，111。 但是目前生产的AgSn02电接触材料仍存在缺陷， 计算步骤如下：首先利用GGA对计算模型进行结 主要是其接触电阻大，温升高，加工成型困难。接触电 构优化，使结构能量达到最低，然后在此基础上利用 阻大，温升高的主要原因在于作为电触头材料的第二相 LDA对模型进行单点能计算，与此同时计算能带结构、 的Sn02是一种宽禁带半导体(禁带宽度达3．6eV)，使 总体态密度、分波态密度以及差分电荷密度，并根据计 整个电触头接触电阻变大，温升提高。 算结果分析不同掺杂比例和不同掺杂元素对sn02导电 为了解决以上问题，试验将通过掺杂sn02的第一性改善情况。 性原理计算，从寻找能够有效提高sn02电性能的掺杂 3计算结果与讨论 元素及掺杂比率入手，采用溶胶一凝胶法制备纳米掺杂 的Sn02粉，并使添加元素进入Sn02的晶格当中，使其 3．1 理想Sn02计算结果与讨论 成为典型的P型或N型半导体，达到提高Sn02导电性 本文首先计算了未掺杂Sn02的电子结构如图2所 的目的。 示，计算结果如图3～6所示。 2理论模型和计算方法