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第 13 届中国光伏大会（CPVC13）论文集
低温生长柔性 CIGS 薄膜材料及太阳电池的研究
刘 玮，李志国，李祖亮，程 龙，周志强，
刘一鸣，张 毅，何 青，孙 云
(天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室，南开大学信息技术科学学院，天津 300071)
摘 要：主要研究了低温生长柔性聚酰亚胺衬底的铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se ，CIGS)薄膜
2
材料及器件问题。通过改善元素沉积速率、调控薄膜元素分布比例，分析其对 CIGS 薄
膜结构、电学及元素分布等特性的影响，确定影响低温生长 CIGS 薄膜的主要因素，优
o
化薄膜带隙梯度，升薄膜的结晶质量及器件性能，最终在低温 450 C 下，得到效率为
10.99%的PI 衬底 CIGS 薄膜太阳电池。
关键词：薄膜太阳电池；铜铟镓硒；柔性；低温生长
实验采用低温三步法在溅射有 Mo 电
1 引言 极的 PI 衬底上沉积 CIGS 薄膜，第一步，
CIGS 薄膜太阳电池是目前最高效的 In 、Ga、Se 共蒸发到温度为 350的衬底
薄膜光伏电池, 由ZSW 制备的小面积电池 上，第二步 Cu、Se 共蒸，衬底温度高
效率已达 20.3%[1] ，是最接近多晶硅世界 到 420-450 ，当薄膜达到富 Cu 时，再蒸
记录的薄膜太阳电池。而以聚酰亚胺（PI ） 发 In 、Ga、Se，直至形成稍贫 Cu 的薄膜，
为衬底的柔性 CIGS 薄膜电池具有高质量 此期间衬底温度在 400-450 。
功率比、适合卷对卷规模化生产和成本低 电池制备的后续工艺包括，化学水浴
等优势,其商业发展前景受到广泛关注。瑞 法（Chemical Bath Deposition, CBD ）制备
士联邦材料与技术实验室(EMPA)近期在 缓冲层 CdS ，磁控溅射制备 i-ZnO 和
PI 衬底上制备的 CIGS 薄膜太阳电池转换 ZnO:Al ，顶电极采用蒸发法制备Ni/Al 电
效率达到 20.4%[2] 。PI 衬底最高可承受温 极。
o
度不超过 450 C，低衬底温度制备的 CIGS 实验采用扫电镜 SEM （Scanning
薄膜具有结晶质量差、薄膜表面粗糙和成 Electron Microscopy ）观察薄膜的结晶，二
分梯度陡峭等缺点，导致较差的转换效 次 离 子 质 谱 （ Secondary ion mass
率。研究表明沉积速率和元素梯度分布是 spectroscopy, SIMS ）分析元素纵向分布，
影响 CIGS 薄膜特性及电池效率的关键因 霍尔效应测试仪（Hall ）检测材料的电学
素[3-4] 。 性能，制备的电池在 AM1.5 的标准光强下
测试 I-V 曲线，得到器件性能。
2 实验 3 结果与分析
54
第 13 届中国光伏大会（CPVC13）论文集
3.1 高沉积速率对薄膜粗
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