压阻式传感器结构原理及其在汽车测试中应用的研究.docVIP

压阻式传感器的结构原理及其在汽车测试中的应用研究 摘要：分析了压阻式传感器的结构、工作原理以及相关应用电路，介绍了压阻式传感器发展状况以及它在汽车测试中的应用。 关键词：传感器，压阻，汽车，测试 一 压阻式传感器的结构原理 压阻式传感器piezoresistance type transducer）是指利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。单晶硅材料在受到力的作用后，电阻率发生变化，通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。压阻式传感器用于压力、拉力、压力差和可以转变为力的变化的其他物理量（如液位、加速度、重量、应变、流量、真空度）的测量和控制。 1.1压阻效应 半导体电阻率 πl为半导体材料的压阻系数，它与半导体材料种类及应力方向 与晶轴方向之间的夹角有关；E为半导体材料的弹性模量，与晶向有关。 对半导体材料而言，πl E (1+μ)，故(1+μ)项可以忽略 半导体材料的电阻值变化，主要是由电阻率变化引起的，而电阻率ρ的变化是由应变引起的 半导体单晶的应变灵敏系数可表示 半导体的应变灵敏系数还与掺杂浓度有关，它随杂质的增加而减小 晶向的表示方法 结晶体是具有多面体形态的固体，由分子、原子或离子有规则排列而成。这种多面体的表面由称为晶面的多个平面围合而成，晶面与镜面相交的直线称为晶棱，晶棱的交点称为晶体的顶点。 硅为立方晶体结构。为了说明晶格点阵的配置和确定晶面的位置， 通常引进一组对称轴，称为晶轴，用X、Y、Z表示。 对于同一单晶，不同晶面上原子的分布不同。各镜面上的原子密度不同，所表现出的性质也不相同。单晶硅是各向异性材料，取向不同，则压阻效应不同。硅压阻传感器的芯片，就是选择压阻效应最大的晶向来布置电阻条。同时利用硅晶体各向异性、腐蚀速率不同的特性，采用腐蚀工艺来制造硅杯形的压阻芯片。 影响压阻系数的因素 影响压阻系数大小的主要因素是扩散杂质的表面浓度和环境温度。压阻系数与扩散杂质表面浓度Ns的关系如图所示。压阻系数随扩散杂质浓度的增加而减小；表面杂质浓度相同时，P型硅的压阻系数值比N型硅的（绝对）值高，因此选P型硅有利于提高敏感元件的灵敏度。 当力作用于硅晶体时，晶体的晶格产生变形,使载流子从一个能谷向另一个能谷散射,引起载流子的迁移率发生变化，扰动了载流子纵向和横向的平均量，从而使硅的电阻率发生变化。这种变化随晶体的取向不同而异，因此硅的压阻效应与晶体的取向有关。硅的压阻效应不同于金属应变计（见电阻应变计），前者电阻随压力的变化主要取决于电阻率的变化，后者电阻的变化则主要取决于几何尺寸的变化（应变），而且前者的灵敏度比后者大50～100倍。 主要优点是灵敏系数比金属电阻应变片的灵敏系数大数十倍 横向效应和机械滞后极小 温度稳定性和线性度比金属电阻应变片差得多 体型半导体应变片的结构形式 1-P型单晶硅条 2-内引线 3-焊接电极 4-外引线 对于恒压源电桥电路，考虑到环境温度变化的影响，其关系式为： 测量电路 恒压源 电桥输出电压与ΔR / R成正比，输出电压受环境温度的影响。R为应变片阻值， ΔR为应变片阻值变化， ΔRt为环境温度变化受环境温度引起阻值的变化 恒流源 电桥输出电压与ΔR成正比，环境温度的变化对其没有影响。 （2） 扩散型压阻式压力传感器 压阻式压力传感器结构简图 1—低压腔 2—高压腔 3—硅杯 4—引线 5—硅膜片 采用N型单晶硅为传感器的弹性元件，在它上面直接蒸镀半导体电阻应变薄膜 工作原理： 膜片两边存在压力差时，膜片产生变形，膜片上各点产生应力。四个电阻在应力作用下，阻值发生变化，电桥失去平衡，输出相应的电压，