Si-%2c1-x-Ge-%2cx-%2fSi表面合金结构的掠入射X射线衍射(GIXRD)研究.pdfVIP

石瑛，蒋昌忠，范湘军 30072) (武汉大学物理科学与技术学院，湖北武汉4 衬底上用分子束外延方法生长的不同组份、不同退火条件下的50A厚的Si-lGe。合金层进行了表面结 构分析。研究发现：对外延生长后未退火的SiGe合金样品，随着Ge含量的增加表面合金的晶格膨 胀、结构驰豫加剧；对相同Ge含量的合金样品，退火时间t和退火温度T的增加都导致驰豫峰变窄、 合金结构均匀化，表明适宜的退火条件可使SiGe表面合金的内应力得到释放、应变结构均匀稳定。 关键词SiGe表面合金；掠入射X射线衍射《I)【国)；表面结构 1引言 在si衬底上采用与现有大规模集成电路工艺相兼容的方式制作出发光器件，是光电集成领域中 的重要课题。这将使人们实现硅基光电集成、形成--)I新兴的si基光电子学【l】。但是si材料本身 在能带结构上的特性使其在光电器件的应用上受到极大限{Ii8。为解决这一难题，人们作了许多尝试， 构，是其中大有希望并已获得一定成功的研究方向。 得益于能带结构工程。SiGc，Si异质结构在理论上可大大提高si基器件的光学和电学性能，但 质结界面带来失配位错，并影响到材料