等离子增强化学气相沉积制备氧化硅薄膜的质谱诊断研究论文.pdfVIP

2008全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集 等离子增强化学气相沉积制备氧化硅薄膜的质谱诊断研究 张军峰，陈强，，张跃飞，刘福平， 刘忠伟 北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室等离子体物理及材料研究室 北京102600 制备氧化硅薄膜过程中，研究引起薄膜生长的前驱体、中间产物及活性自由基或分子。通过四极杆 质谱仪对气相中的中间产物及活性粒子进行原位诊断，进行了不同功率、气压及02与HMDSO比 例等的影响研究。实验发现：高功率，低气压，及02含量的增加有利于有机硅化合物的裂解，氧化 硅沉积过程中质荷比为147的离子是气相反应形成含硅粒子的主要前驱体，对薄膜的形成起主要作 用。 ofMass inSiOx InvestigationSpectrometrydiagnosiscoating PECVD producedby plasma