对InPSi亲水性直接键合的研究.pdfVIP

2004牛8月，-A 第十=届全∞化合物半导体材料、微波#忤自光电器件学术☆议 置第^J莓±目目体薄膜学术9U 对lnPSi亲水性直接键合的研究 赵洪泉，于丽娟，黄永箴 0083) ‘中科院半导体所集成光电子国家重点实验室，北京，lO 摘要：为了估计直接键合的力度我们提出了一个既考虑了晶片表面微观形貌和弹性形变，又考虑了在不同温度下表 面水分子对亲水性键合能的影响的模型。在该模型下，将键合在一起的晶片看成一个系统，利用界面自由能最小的 原理，从能量的角度估算出了键合力的大小。进一步的，我们我们在相对洁净的环境下成功的键合出了一系列各个 不同温度和时闯下退火的键台片子，随后进行了拉力测试，从测试结果可以看出我们的这个模型是比较合适的。同 时从泼模型中我们得到这样的结论：表面微观起伏越小，在退火时所加的压力越大，即使在比较低的温度下，也可 以得到比较高的键合力。从测试结果所得到的曲线来看．我们认为InPSi的