单壁碳纳米管的结构控制生长方法研究.docVIP

中英文摘要 作者姓名：姚亚刚 论文题目：单壁碳纳米管的结构控制生长方法研究 作者简介：姚亚刚，男，1980年7月出生，2004年9月师从于北京大学张锦教授，于2009年7月获博士学位。 中 文 摘 要 单壁碳纳米管（single-walled carbon nanotubes，SWNTs）可以看成是单层石墨片按照一定方向卷曲而成的、直径为纳米级的无缝管式结构，是典型的一维纳米材料。SWNTs因其优异的力学和电学性能以及诱人的应用前景而引起人们的广泛关注。自从SWNTs被发现以来，精确控制其直径甚至手性一直是科学家们追求的目标，这是将SWNTs应用于各个领域尤其是纳电子器件中的关键。本论文以发展SWNTs的结构控制生长方法为主线，系统研究了SWNTs的管径控制、手性控制和形貌控制，主要成果如下： 在管径控制方面：发明了温度扰动化学气相沉积（chemical vapor deposition，CVD）生长技术，成功地获得了SWNTs分子内结，并实现了对SWNTs管径的调控。通过在超长SWNTs的生长过程中施加快速温度扰动，沿单根SWNTs的原子力显微镜（atomic force microscopy，AFM）表征和拉曼成像表明，对同一个催化剂纳米粒子生长的SWNTs而言，当温度快速升高时，SWNTs的直径变细；当温度快速降低时，SWNTs的直径变粗；当温度上下快速扰动时，可获得连续的异径SWNTs。这种沿单根SWNTs的管径变化可以构筑SWNTs分子内结。根据温度对SWNTs直径的调控作用，发展了温度递升（或递降）的CVD生长方法，获得了窄分布的小（或大）直径SWNTs阵列。利用SWNTs在生长过程中可能经历一个石墨烯过渡态的假设，计算了SWNTs的直径与温度的关系，结果进一步证实了实验中温度对SWNTs直径的调控作用。 在手性控制方面：提出了以开口的SWNTs作为“种子”，通过开口生长机理克隆生长SWNTs的方法。采用电子束曝光和氧刻蚀相结合的方法将超长的SWNTs开口，然后以开口的SWNTs作为二次生长SWNTs的“催化剂”或“模板”，通过开口生长机理克隆生长新的SWNTs。AFM和共振拉曼光谱证实克隆生长前后的SWNTs具有相同的直径和手性。测量了600根开口的SWNTs，发现在SiO2/Si基底上克隆生长效率较低，约为9%。而当使用石英为基底时，克隆生长效率能提高到约40%。 在形貌控制方面：提出了漂浮超长SWNTs的温度调控着落法。在石英基底上，当超长SWNTs缓慢着落时，晶格定向力（Fr）和剪切力（Fu）同时作用，可将超长SWNTs控制折叠成蛇形碳纳米管。系统地研究了缓慢降温时间、基底的退火条件、气流方向、气体流速、SWNTs的直径和漂浮SWNTs的长度对蛇形碳纳米管形成的影响。扫描电子显微镜（scanning electron microscopy，SEM）和AFM的结果表明，当控制漂浮的超长SWNT缓慢着落时，蛇形SWNTs的产率可达96%，同时蛇形管平行部分的长度（或振幅）可达100 μm，平行部分的间距（或周期）可降至0.5 μm。用单根超长SWNTs折叠而成的全同手性的平行阵列，制备得到了大电流、高开关比的碳纳米管场效应晶体管（field effect transistors，FETs）。 在碳纳米管生长速度的测量及器件的构建方面：以温度扰动CVD制备的SWNTs分子内结作为碳纳米管生长始终位置的标记，用共振拉曼光谱可测量单根SWNTs的平均生长速度。结果表明：高温下（950 oC）单根SWNTs的生长速度较低温下（900 oC）的生长速度要高；无论是高温还是低温，单根SWNTs的生长速度均随时间递减。另外，与合作者一起研究了超长SWNTs—FETs器件的构筑方法，并用in-situ 透射电子显微镜（transmission electron microscopy, TEM）技术位研究确定手性的双壁碳纳米管单壁碳纳米管，Structure-Controlled Growth of Single-Walled Carbon Nanotubes Yagang Yao ABSTRACT Single-walled carbon nanotube (SWNT), which is composed of one rolling graphene sheet, is regarded as the ideal one-dimensional nanomaterial. Due to its outstanding electronic, optical, mechanical properties and attractive potential applications, SWNTs have attract