半导体中电子自旋输运的飞秒激光光谱研究.pdfVIP

第1七届全国半导体物4学术会议论文集 中国·长春2009年8月16日-20日 半导体中电子自旋输运的飞秒激光光谱研究 赖天树’，余华粱，张秀敏，文锦辉，林位株 光电材料与技术国家晕点鲨骢审，中山大学物理与工程技术学院，广州，510275 edu饥 Email：stslts@mailsysu 引言： 电子自旋为半导体屯子器件提供r个新的操控自由度．期待与电荷自由度组台，发展 新代低功耗、高集成度的纳米电了器件．自旋电子器件。然而，半导体自旋电子器件的成功 依赖于电于自旋极化、注入、输运、检测和控制等基奉问题的成功解决。这些问题已成为目 前国际上的前}f}研究课题。本文对其中自旋输运基本问题进行了研究。发展了新的光学测试 方法．开展了GaAs及其量于阱中电子自旋输运动力学研究。研究了空穴和自旋的库仑拖曳 (Coulomb drag)对电子fi旋输连的影响。 1．实验描述 奉立研究的实验样品为nq3aAs(2x10” cd)和本征GaAs多量子阱。所有实验均 在室温r进行。首先发展，时一空分辨