沉积压力对p型微晶硅材料结构特征和光电性能的影响.pdfVIP

薄膜硅太阳电池及材料 .161· 沉积压力对尸型微晶硅材料结构特征 和光电性能的影响* 俞远高 ‘侯国付2王锐’薛俊明2耿新华2杨瑞霞1 ，河北工业大学信息学院，天津300130 2南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 天津市光电子薄膜器件与技术重点实脸室 光电信息技术科学教育部重点实验室 天津 300071 [摘 要] 在微晶硅太阳电池中，P层作为电池的窗口层对电池的性能有重要影响。本文 ‘ 采用射频等离子增强化学气相沉积 (RF-PECVD)的方法制备P型氢化微晶硅 (c-Si:H)薄膜材料，重点研究了压力变化 (200^-550Pa)对薄膜沉积速率、 电学特性、结构特性的影响。结果发现:沉积速率随压力的增加而不断提高， 材料的暗电导、晶化率随压力的增加先提高后降低，而激活能的变化趋势与之 相反，在晶化率最高点，材料在 (220)的晶向衍射峰最高。最后在高压下结合 优化其他参数，在厚度为38nm时获得了电导率为0.183Scm-1,激活能为 37meV，晶化率为50%的优质P型微晶硅薄膜。 【关键词】 射频等离子增强化学气相沉积 P型微晶硅 沉积压力 EffectofPressureonStructureFeatureandPhotoelectricPerformanceof PTypeMicrocrystallineSiliconThinFilm YuYuan-GaoWangRuiHouGuofu2XueJunming2GengXinghua2YangRuixia 1HebeiUniversityofTechnology,Tianjing300130,China; sInstituteofphoto-electronicthinfilmdevicesandtechniqueofNankaiUniversity,Tianjin,300071,PR.China KeyLaboratoryofphotoelectronicsthinfilmdevicesandtechniqueofTianjin,KeyLaboratory ofOptoelectronicInformationScienceandTechnology,ChineseMinistryofEducation 0 引 言 P型微晶硅材料在微晶硅薄膜太阳电池中起到了关键的作用，它既作为电池的窗口层， 同时也与N层材料一起形成电池的内建电场。沉积压力是采用射频等离子增强化学气相沉积 (RF-PECVD)的方法制备P型微晶硅薄膜材料的重要参数之一p1。本文讨论了沉积压力对P *基金项 目:本文得到国家重点基础研究发展计划 (973)项 目(2006CB202602和 2006CB202603)的支持。 -162. 中国太阳能光伏进展 型微晶硅材料沉积速率、电学特性和结构特性的综合影响。 1实 验 实验中所有微晶硅材料都是在RF-PECVD七室连续沉积系统中制备。材料沉积所采用的 衬底为普通载玻片，硅烷浓度(SC=[Sill)/[SiH4}FH21)为d75%，辉光功率40W，沉积压 力变化范围为200.550Pa。用Keithley617进行材料的暗电流测试，然后算出电导率。激活 能Ea是由暗电导率与温度的变化关系来确定。拉曼散射光谱采用MKIRenishaw2000型进行 测试。拉曼谱采用高斯拟合，利用公式Xc=(I510+t520)/(1480+1510+1520)，计算得到晶化率[210 X射线衍射谱采用DPmax22500X射线衍射仪进行测试。 2 结果和分析 2 . 1 压力对沉积速率的影响 从图1中可以看出从200^-300Pa,沉积速率随沉积压力的增加几乎没有变化，在300Pa 以 后 沉积速率急剧增加，而当增加到400Pa以后，沉积速率增加变慢 ‘这是因为随着反应 ‘ 室中反应气压的逐渐增大