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CCD摄像器件工作原理,驱动方式及应用 光科0702 丁晓亮 1302070229 摘要：本文从存储电荷、电荷转移、电荷输出、电荷注入四方面先介绍了CCD 的工 作原理，然后就线阵CCD 图像传感器和面阵CCD 图像传感器分别介绍各自的工作原 理；在驱动方式部分，先图解三相、二相、四相工作方式的CCD 时钟脉冲，然后介 绍了各种产生驱动脉冲的方法；最后罗列了一些线阵CCD 摄像器件的实例。 关键词：SiO 、存储电荷(Storage Charge)、电荷转移(Charge Transfer) 、电荷输出 2 (Charge Output) 、电荷注入(Charge Injection)、线阵CCD(Liner CCD)、面阵CCD(CCD Array) 、图像传感器(ImageSensor) 、时钟脉冲(Clock Pulse) 、CCD 摄像器件(CCD Camera Device) 先介绍一下CCD 的工作原理： CCD 的最小单元是在P 型（或N 型）硅衬底上生长一层厚度约为120nm 的SiO ， 2 再在SiO2 层上依次沉积金属或掺杂多晶硅电极而构成金属-氧化物-半导体的电容式 转移器。其中，“金属”为SiO2 层上沉积的金属或掺杂多晶硅电极，称为“栅极”；半 导体硅作为底电极，俗称“衬底”；“氧化物”为两电极之间夹的绝缘体SiO2 。 （1） 存储电荷 当向栅极加正向偏压时，P 型硅衬底中形成耗 尽区（势阱），当VG 足够大时，载流子深度耗尽， 甚至在半导体表面形成反型层。热平衡时n 型半导 体应有足够的自由电子。于是，当附近存在自由电 子时，自由电子就会吸引电极下方附近。 这样的MOS 电容就有了存储电荷（电子）的能力。 （2 ） 电荷转移 上图是CCD 的MOS 结构。电荷转移的控制方法，有二相、三相、四相等控制 方式之分，这部分在下面的驱动方式里作进一步介绍。 （3 ） 电荷的输出 在输出端P 型硅衬底上扩散形成输出二极管，二极管加反压，在PN 结形成耗 尽层。输出栅OG 加压使电荷转移到二极管的耗尽区，作为二极管的少数载流子形 成反向电流输出。输出电流的大小与电荷大小成正比，通过负载变为电压输出。下 图为输出二极管电流法。 （4 ） 电荷注入 在CCD 中，电荷注入分为两类：光注入和电注入。其中的光注入方式：当光 照射到CCD 硅片上时，在栅极附近的体内产生电子—空穴对，其多数载流子被栅 极电压排开，少数载流子则被其收集到势阱中形成信号电荷。 接下来介绍CCD 摄像器件的工作原理： （1） 线阵CCD 图像传感器 线型CCD 图像传感器由一列光敏元件与一列CCD 并行且对应的构成一个主体, 在它们之间设有一个转移控制栅,如下图(a)所示。实用的线型CCD 图像传感器为双 行结构，如下图（b ）所示。单、双数光敏元件中的信号电荷分别转移到上、下方的 移位寄存器中，在控制脉冲的作用下，自左向右移动，在输出端交替合并输出，就 形成了原来光敏信号电荷的顺序。 （2 ） 面型CCD 图像传感器 面型CCD 图像传感器由感光区、信号存储区和输出转移部分组成。目前存在 三种形式。 下图(c)所示结构由行扫描电路、垂直输出寄存器、感光区和输出二极管组成。 行扫描电路将光敏元件内的信息转移到水平（行）方向上，由垂直方向的寄存器将 信息转移到输出二极管，输出信号由信号处理电路转换为视频图像信号。这种结构 易于引起图像模糊。 上图（d ）增加了具有公共水平方向电极的不透光的信息存储区。在正常垂直 回扫周期内，具有公共水平方向电极的感光区所积累的电荷同样迅速下移到信息存 储区。在垂直回扫结束后，感光区回复到积光状态。在水平消隐周期内，存储区的 整个电荷图像向下移动，每次总是将存储区最底部一行的电荷信号移到水平读出器， 该行电荷在读出移位寄存器中向右移动以视频信号输出。当整帧视频信号自存储移 出后，就开始下一帧信号的形成。 上图(e)是将图(d)中感光元件与存储元