注入电流对垂直腔面发射激光器横模特性的影响.pdfVIP

维普资讯 第 57卷 第 5期 2008年 5月 物 理 学 报 Vo1．57，No．5，May，2008 1000—3290／2008／57(05)／2959—07 ACTA PHYSICA SINICA ⑥2008Chin．Phys．Soc． 注入 电流对垂直腔面发射激光器横模特性的影响* 杨 浩 郭 霞 关宝璐 王同喜 沈光地 (北京工业大学北京市光电子技术实验室 ，北京 100022) (2007年 7月28日收到 ；2007年 9月 18日收到修改稿) 对980nm氧化限制型垂直腔面发射激光器横模进行测试和研究，理论上从时间、空间变量的速率方程 出发，利 用空间积分法分析 了典型 电注入参数对弱折射率导引垂直腔面发射激光器(vcsE【|s)横模行为的影响，通过实验测 试 ，得到 VCSELs的横模光场分布情况 ，并与理论分析进行对 比，得 出相应 的实验结果 ，在氧化孔径不变的情况下 ， 随着注入 电流的增加 ，载流子分布从有源 区中心向边缘移动 ，模式从低阶基模 向高阶模转变 ，并发生 了较强的模式 竞争 以及载流子空间烧孔效应 ，最终导致基模强度的降低 ．另一方面 ，通过 比较不同注入孔径下高阶模 的发生时 刻 ，得出越小的注入孔径 ，注入强度越低 的时候 ，VCSELs更易实现单横模工作 的实验结果 ． 关键词 ：横模 ，垂直腔面发射激光器 ，空间烧孔现象 ，模式竞争 PACC：4255P，4280L 型 ，有效地描述 出了器件动态的载流子 、光子分布以 1．引 言 及它们 的相互作用 ，为我们研究激光器的横模特性 提供了很好 的理论依据 ．在 VCSELs中，针对其弱折 垂直腔面发射激光器 (VCSELs)凭借其单色性 射率导引结构建立多横模速率方程 ，进而利用分离 好、阈值电流低 、集成度高、寿命长、高效率等多方面 变量法使其在空间、时间上相互独立 ，在保证模型准 优势 ，自问世 以来便跻身于光通讯 、光互联 、光交换 、 确性的前提下使问题简化 ． 光存储以及光打印等诸多领域并在其 中发挥着重要 本文首先针对垂直腔面发射激光器弱折射率导 的作用 ．然而，由于 自身结构 的特殊性 ，对这种新兴 引结构建立多横模速率方程 ，并根据速率方程所反 的优 良器件而 言，许 多 问题仍然迫待解决 ．首先 ， 映出的载流子 、光子分布信息构建动态变化 的横模 VCSELs谐振腔横 向相对较宽 ，对光场限制 能力较 分布情况 ．通过实验测试 ，得到 VCSELs的横模光场 弱 ，致使其中常存在多个横模 ，不同横模 的空间分布 分布情况，与理论分析结果一致 ，分别讨论了固定孔 不同，彼此 间存在交叠 ，从而导致模式 问强烈的竞 径下随着注入 电流 的增大 VCSELs横模分布 的变化 争 ，对器件 的模分噪声 、开关特性等产生较大不利影 问题 、彼此 的模式竞争 、空 间烧孔现象 ，以及不同的 响．其次 ，随偏置电流 的增大 ，更多高阶模式满足阈 注入孔径下 ，基模 的稳定性 问题 ，理论与实验得到了 值条件而激射 ，由其引起 的载流子分布变化 、空间烧 很好的统一 ． 孔现象以及热透镜现象…，都将对激光器的横模特 性产生影响． 2．模型和理论分析 在实际应用 中，由于基横模拥有发散角小 、光场 强度大等优势 ，大部分场合 (光存储 、光打印等)需要 通常采用圆柱形光波导模型来对 VCSELs的横 VCSELs稳定