温度补偿30nA CMOS电流源及在LDO中应用.pdfVIP

第 27 卷 　第 9 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 9 2006 年 9 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS Sep . ,2006 温度补偿的30nA CMOS 电流源及在 LDO 中的应用 王 　忆 　何乐年 　严晓浪 (浙江大学超大规模集成电路研究所 , 杭州 　3 10027) 摘要 : 设计了一种新型的用于低功耗 L DO 线性稳压器的 CMO S 高精度参考 电流源. 通过亚阈值设计方法得到 30nA 与电源电压无关的基准电流. 利用 MO S 管寄生二极管反向电流的高温特性 ,对各支路的镜像电流进行了温 度补偿 ,在 - 40～130 ℃范围内的 30nA 的基准电流精度从 ±15nA 提高到 ±09nA . 用这种参考 电流源设计的 μ μ LDO 的静态电流在 - 40～130 ℃范围时减小到 4 A . 用 Ca dence 公司的 Sp ect r e 软件以及 CSM C 的 05 m CM OS 混合信号模型对电路进行了仿真与芯片设计. 芯片测试结果验证了以上设计. 关键词 : 30nA ; 静态电流; 寄生二极管; L D O EEACC : 2570D 中图分类号 : TN 40 1 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 1 　引言 L D O (l ow dr op out ) 线性稳压器由于具有低噪 声 、低功耗 、结构简单及封装尺寸较小的优点, 在便 携式电子产品中作为电源转换电路得到了广泛的应 用. 便携式电子产品要求功耗低且电池续航时间长. 这对电源的转换效率提出了更高的要求. L D O 的电 源转换效率定义为[ 1 ] : 图 1 　LDO 的基本结构图 η= Io V o ×100 % ( 1) Fig . 1 　Typical low dropout regulator topology ( Io + Iq ) V I 其中　Io 是输出电流; V o 为输出电压; Iq 为静态工 2 　经典的与电源无关的偏置电流电路 作电流; V I 为输入电压. 要提高效率 , 必须降低静态 电流 Iq 和输入输出压差 VD r op out . 一般设计中, 静态 图 2 是经典的与电源 电压无关的偏置 电流 电 μ 电流 的 典 型 值 为 40 ～ 100 A , 压 差 为 200 ～ 路[3 ] . 该电路中 M6C 提供了启动时的电路通路. 电 [2 ] μ 400mV ,其中基准电流值一般为 1 A 左右. 图 1 路正常工作时 ,M6C 关断 , 同时 M 1C～M5C 管工作 是 L DO 的基本结构图. 从图中可以发现 ,参考电流 于饱和区 , Iref 是基准电流. 为了使基准电流和电源 源为误差放大器提供了偏置 电流 , 是决定 L DO 静