Cr掺杂对Cu／Si（100）薄膜体系的微观结构及电阻率的影响.pdfVIP

维普资讯 第 l7卷第 l2期 中国有色金属学报 2007年 l2月 Vbl_l7No．12 TheChineseJournaIofNonferrousM etals Dec．2o07 文章编号：1004．0609(2007)12．1916．06 Cr掺杂对Cu／Si(1O0)薄膜体系的微观结构及电阻率的影响 王新建，刘嘉聪，洪 波，姜传海，董显平 (上海交通大学 材料科学与工程学院 教育部高温材料及测试重点实验室，上海 200240) 摘 要：利用简易合金靶在Si(100)衬底磁控溅射制备Cu、Cu-1．19％Cr和Cu．2，18％Cr薄膜，研究Cr对Cu薄膜 在 300,-500℃真空退火前后的结构和电阻率的影响。x射线衍射分析表明：Cu及Cu(Cr)薄膜均呈现Cu(1111和 Cu(200)衍射峰，并且Cu(Cr)薄膜一直保持较强的(111)织构。原子力显微分析表明：Cu薄膜在 500℃退火时，薄 膜与硅基底发生明显的互扩散，薄膜表面的致密度及平整度下降：而Cu(Cr)薄膜在退火时保持较高的致密度，Cr 显著提高Cu／Si薄膜体系的热稳定性。Cu(Cr)薄膜的电阻率随温度升高先减小而后增加，在400℃及 500℃退火 30min后分别达到最小值2．76Qc·m和2．97 Qc·m，与纯Cu膜相近(2．55Qc·m)。Cu(Cr)薄膜退火电阻率的大幅 度减小与薄膜晶粒尺寸的增加以及 Cr的扩散有关。适量的Cr掺杂和合理的退火工艺使得Cu(Cr)合金薄膜在高温 互连材料方面具有很大的应用前景。 关键词：Cu(Cr)薄膜：织构：热稳定性；电阻率 中图分类号：TM241．1 文献标识码：A Effectofchromium dopantonmicrostructureandresistivity characteristicsofCu／Si(1O0)systems WANGXin-jiang，LIUJia-cong，HONGBo，JIAN GChuan-hai，DONGXian—ping (KeyLaboratoryforHighTemperatureMaterialsandTestiⅡgofMinistryofEducation， SchoolofMaterialsSciencenadEngineering，ShnaghaiJiaoT0ngUniversity,Shnahgai200240，China) Abstract：ThinfilmsofpureCunadCuwith1．19％Crnad2．18％Crweredepositedbyrnagnetronsputteringonsi(10o) substrates．Sampleswereannealedat300-500 ℃ invacuum toinvestigateeffectsofCronhtemicrostructurenad resistiviytcharacteristicsofCu／Sisystems．X—raydiffractionrevealsCu(111)nadCu(200)peaksforCunadCu(Cr)films However，Cu(Cr)fimlsaretexturedni (1l1)orientation．CrenhnaceshtehtermalsatbiliytofCu／Sisystemsmrakedly． ResistivitiesofCu(Cr)fimlsafterannealedat400℃and500℃raeabout2．76Q’cmnad2．97Qc·mwhichapproach tohtoseofCufilms．Th edecreaseofresistiviytofannealed