EAM-DFB集成光源典型参数特性的电路级分析.pdfVIP

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2017-08-30 发布于河北
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EAM-DFB集成光源典型参数特性的电路级分析.pdf

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维普资讯第27卷第4期固体电子学研究与进展 Vo1．27，No．4 2007年 11月 RESEARCHPROGRESSOFSSE NOV．，2007 口光电子学 k EAM—DFB集成光源典型参数特性的电路级分析王世康潘炜罗斌 (西南交通大学信息科学与技术学院，成都，610031) 2006—01—10收稿，2006—05—15收改稿摘要：针对电吸收型调制器和分布反馈激光器集成光源 (EAM—DFB)的光电混合特征，建立了包含自发辐射、俄歇复合、寄生效应以及隔离电阻的等效电路模型。分析了在不同驱动电流和自发辐射因子下，该模块的输出、调制及噪声特性，并与直接调制DFB作了对比。结果表明，EAM—DFB可生成超短脉冲 (小于25ps)；随着驱动电流的增加，输出功率增大、脉冲展宽，噪声增强且峰值点向高频移动；减小自发辐射因子和增加驱动电流均使其调制带宽增加；与DFB相比，EAM—DFB增加了少量噪声，但具有更陡峭的功率一电流特性和更大的调制带宽。关键词：分布反馈激光器；电吸收型调制器；集成光源；等效电路模型；参数特性中图分类号：TN365 文献标识码：A 文章编号：l000—3819(2007)04—572-06 Circuit—levelAnalysisfortheTypical ParameterPropertyofEAM -DFB W ANG Shikang PAN W ei IUO Bin (Schoolof ,formationScienceandTechnology，SouthwestJiaotongUniversity，Chengdu，610031，CHN) Abstract：Basedonthecharacterofphotoelectricm ixinginelectro—absorptionmodulatorin— tegrated distributed—feedbacksemiconductorlaser (EAM—DFB)，theequivalentcircuitmodelin— cludingspontaneousemission，Augerrecombination，parasiticeffortsandisolationresistanceis established．Usingthismodel，theoutput，modulationandnoisepropertyofEAM —DFB fordif— ferentbiascurrentsandspontaneousem issionfactorsareanalyzed，andcomparedtotheseproper— tiesofEAM —DFB andDFB．TheresultsindicatethatEAM—DFB iscapableofgeneratingaoptical pulseshorterthan 25ps；increasingbiascurrentcan raiseoutputpowerandspreadline～width； enhancenoise；inducethepeakofnoisetoshifttowardhigherfrequency．Italsofoundthateither decreasingspontaneousemission factororincreasingbiascurrentcan broadenmodulation band—