0.25微米CMOS工艺中多级栅极氧化层完整性的技术的研究.pdfVIP

0.25微米CMOS工艺中多级栅极氧化层完整性的技术的研究.pdf

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
指 导小组成 员名单 校 内导师 : 郑 国祥 教授 企业 导师 : 龚大卫 高级工程师 目 录 摘 要 ... … … 2 A b s t r a c 七. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . … … 3 第 一 章 引言.… 孟乙 第 一节 课 题 背 景 4 第 二节 产 品可靠 性 … … ,… … 7 第三 节 嵌 入 式 闪存记 忆 体 … … 13 第 四节 失 效 分析 … … ,.… ,.… ,,… ,.,… 16 第五节 本论文工 作介绍 … … 18 第 二 章 栅 氧化 工 艺 的基本 原理 … … 20 第一节 硅 氧 化 的原理 … … 20 第 二 节 栅 氧 化工 艺 的加 工 设 备和 加 工过 程 … … 22 第三 节 栅 氧 化 的特 性 … … 25 第 四节 本 章 小结 … … 28 第 三 章 GOI 测试 方法及相 关 理 论 的研 究… … 29 第 一节 栅 氧 化层 击 穿模 式 … … 29 第 二节 栅 氧 化 层 的击 穿 分 类 与测 试 结构 … … ,… … 32 第三 节 栅氧 化层 的测试 方 法 与 失效判 定 … … 36 第 四节 栅 氧 化层 的数据 分 析 … … ,… 42 第 五节 本 章 小结 … … 47 第 四章 CM OS 工 艺 中多栅 氧 的 Gm 改进 … … 48 第 一节 多栅 氧 CM OS 工 艺 的特 点及 存 在 的 问题 … … 48 第 二节 实验 计划 与 结 果 … … 53 第三 节 数据 分析 与 失效机 理 … … 56 第 四节 改善 措施 … … 59 第 五节 本 章 小结 … … 60 第 五 章 总 结 ., ·.… … 61 参考 文献 … … ,.. ···… … 62 致 谢 、… … 63 摘 要 超 大规模集 成 电路 (ULS I) 发展 至今 ,可 靠性 问题越来 越 突 出和 受 到重视 。 可 靠 性 测 试 分析 的 目的在 于提 高 ULS工的质 量 和可 靠 性水 平 ,分 析 所 得 数据 将 向 电路 的设计者和 制造 商提 出 旨在 消除影 响芯 片 性 能 因素 的合理 化建 议 ,并且 向用 户 指 出正确合理 的使用 方法和 维护条件 。 栅氧化层作 为 MOS 晶体管 的栅介 质 ,它 的 品质 的好坏 直 接影 响 晶体 管 的各项 特 性 ,包括开启 电压 V t,击 穿 电压等 ,另外 它对 晶片 的合格率 和可靠性影 响也 很 大 ,极 小量 的缺 陷都 可 能显 著 降低 集 成 电路 的合 格 率 和 可 靠 性 。 传统 的单一栅氧 厚度所 能提供 的器 件 已无 法满足 芯 片多样化 的需求 ,多栅氧 工 艺 (m oltip le gate ox ide)在 混 合信 号 CMOS 及 FLASH 流 程 中得 到 了广 泛 的应用 , 给 栅氧工 艺 的可 靠性带来 了新 的 问题 。本论文 工作基 于 0.25um 以下 的线 宽世代 工 艺 ,以深亚微 米技术 来 实现 多厚度 栅氧器件 在 同一个芯 片上 的集 成 ,研 究 由于 多级栅氧 CMOS 工 艺造 成 的栅 极氧化 层 完整 性 (GOI ) 问题 ,和 可靠 性测试 出现 的 问 题 ,进 而研 究其 诱 发机 理及其 工

文档评论(0)

hlfy68 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档