甲硅烷常压CVD淀积非晶硅的研究.pdfVIP

第 卷 第 到叨 华 中 理 工 大 学 学 报 年 」 一 之 甲硅烷常压 淀积非晶硅研 究 王敬义 何笑明 王 宇 王永兴 固体 电子 学系 武汉 工 业 大 学 提 要 本 文 讨 论 了以 甲硅 烷 为源 , 用 常压 法 制 备非 晶硅 的设 备 改进 及 工 艺优 化 , 提供 了一 些 实验 结 果 文 中着重分析 了 过 程 , 讨 论 了在 较低 温 度 下获得 高淀 积 速率 的原 因 关键 词 非 晶硅 甲硅烷 淀积速 率 热扩 散 中图法分类号 非 晶硅 薄膜质量在 衬底温度为 ℃ 左 右和淀积 时 间不太长的情况 下容 易得到保证 可 是 采用 甲硅 烷为源 的 需要 ℃ 左 右才 能得到足够 的淀积速率 为 了在 较 低 一 的温度 下获得 高的硅 淀 积速 率 , 目前发展 了两类不 同的方法 一种 是 以乙硅烷或 多硅烷为 。 “ 源川 另一种 是 仍 以 甲硅 烷为源 , 但反应 室 改为 的型 式 【 这 两类 方 法 都 是 以设备 复杂化为代价 来解 决 问题 的 木文研 究 以 甲硅 烷为源 , 应 用常规 系统来实现 上 述 目的的方法 及理 论依 据 一 , , , 研 究表 明 在 衬底 温度为 ℃的情况 薄膜淀积速率可达 。 且 薄膜特性 良好 薄膜制备 〔〕 已 系统 总体 图在文献 中 有较 为 详 细