Mg2Si电子结构及光学性质研究.pdfVIP

1 Mg Si 电子结构及光学性质的研究 2 陈茜，谢泉，闫万珺，杨创华，赵凤娟 贵州大学新型光电子材料与技术研究所，贵州大学电子科学与信息技术学院， 贵州贵阳（550025 ） E-mail：chenzhangqianer@163.com 摘 要：采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了Mg Si基态的电子结构、态密 2 度和光学性质。计算结果表明Mg2Si属于间接带隙半导体，禁带宽度为0.2994eV；其价带主 要由Si的3p以及Mg的3s、3p态电子构成，导带主要由Mg的3s、3p以及Si的3p态电子构成； 静态介电常数ε1(0)=18.89；折射率n0 =4.3460；吸收系数最大峰值为356474.5cm-1 ；并利用计 算的能带结构和态密度分析了Mg2Si的介电函数、折射率、反射率、吸收系数、光电导率和 能量损失函数的计算结果，为Mg2Si的设计与应用提供了理论依据。 关键词：Mg Si；第一性原理；电子结构；光学性质 2 中图分类号：0471.5；0472+.3；0481.1 1. 引言 金属硅化物 Mg Si 具有极低的密度、高比强度、耐高温的优异性能，而且合金元素 Si、 2 Mg 的原料资源丰富，地层蕴藏量大，价格低廉，并且无毒无污染，耐腐蚀。同时，它也是 一种窄带隙 n-型半导体，具有高热电势率和低热导，是一种新型环境半导体材料[1] 。Mg Si 2 在光电子器件和能量器件应用方面具有非常良好的性能， 并且可以在 Si 基片上外延生长， 和传统的 Si 工艺兼容，因此在光电子器件、电子器件、能量器件领域具有重要的应用前景。 决定半导体材料光电特性的本质为其电子结构，因此近年来，Mg2Si 能带结构的计算已 成为计算材料领域的研究热点。1969 年， M.Y.Au-Yang 采用经验赝势方法，计算了 Mg2Si 的能带结构和介电函数，得到间接带 隙为 0.53eV[2] 。1970 年，Aymerich F 采用 早期的经验赝势计算了 Mg2Si 的能带结构， 得到间接带隙为 0.49eV[3] 。1993 年，Corkill 和 Cohen 采用从头算赝势方法，得到一个带 隙宽度为 0.118eV 的间接带隙[4]，但是远远 小于实验值 0.77eV[5] 。2002 年，Yoji Imai 采用第一性原理赝势方法计算了 Mg2Si 的 能带结构和态密度，得到间接带隙为 图 1 Mg2Si 的晶体结构示意图 0.28eV[6] ；2003 年，他又采用同种方法得到 Fig.1 Crystal structure of Mg2Si 间接带隙为 0.277eV[7]，是实验值的 36 ％。国内，武汉理工大学的闵新民等人用离散变分密 度泛函分子轨道方法（DFT-DVM ）计算了Mg [8] 2Si 与掺 Sb,Te 和 Ag 系列的态密度 。目前， 尽管对 Mg2Si 的电子结构进行了大量的理论和实验研究，但是关于它的光学性质的理论研究 在国外仅报道了介电函数，而在国内，这方面的工作几乎尚未开展。本文采用基于第一性原 理的赝势平面波方法，对 Mg2Si 的能带结构、态密度、介电函数、吸收系数、折射率、反射 率、光电导率和能量损失函数进行了全面的计算，并对其机理进行了详细分析。