磁量子结构中二维自旋电子隧穿运输.pdfVIP

t s 第 49卷 第 9期 2000年 9月 物 理 学 报 Vo1．49，No9，September．2000 1000—3290／2000／49(09)／1814—07 A TA PHYSIC^SINICA @2000ChinPhys．Soe． 磁量子结构 中二维 自旋电子的隧穿输运 郭 永 顾秉林 (清华大学物理系 ，北京 100084) 岬／f 叠睦圭 (日本东北大学金属材抖研究所 ．仙台980-8577) (2000年 1月 19日收到i．2000年4月24日收到营改稿) 编零研究了零偏压和偏置 电压作用下磁量子结构 中 自旋 电子 的隧穿输运性质 ．结果表明电子 自旋输运 的性质不 仅取决于磁量子结构的构型、入射电子的能量和波矢 ，而且取决于偏置 电压 在零偏压下，由等 同的磋皇磋阱构 成的磋量子结构不具有 自旋过滤的特点，而由不等同的磁皇磁阱构成 的磁量子结构却具有较好 的 自旋过滤特点． 偏置电压极大地改变了磋量子结构 中电子 的极化程度 ，使得 电子盛穿等 同的磋垒磁阱构成 的磁量子结构 的输运 性质也显著地依籁于电子的 自旋指 向． 关键词 量子结 皂塞皇王，堕!塑垩 自旋极化 PACC：7340．0365 ≥ff备 料 、超导材料等实现了对异质结面处二维 电子气体 1 引 言 的纳米尺度的磁调制 异质界面处的电子气体在具 有纳米尺度的非均匀磁场中的量子行为显著不同于 近年来凝聚态体系中电子的自旋极化行为引起 电子在均匀磁场作用下的行为．人们对此已进行了 了人们极大 的研究热情_l 这一方面是 因为其 大量的卓有成效 的研究．譬如 ，由磁垒磁 阱构成的 中有丰富的物理 内涵，另一方面是具有潜在的十分 磁量子结构 中的渡矢过滤效应[22,23】、电场效应 圳【、 广阔的器件应用前景．科学家们预期可用高极化度 周期磁超晶格结构 中的共振劈裂效应_25及能带结 的电子束制作高效 的光子发射器 (photoemitters)、 构 【、准周 期磁超 晶格 结构 中的输 运性质 [州 ，等 自旋记忆装置 (spin—memorydevices)J、自旋晶体管 等 ． (spintranslsters)[ 及 自旋量子计算机 (spinquan— 无疑 ，磁调制量子结构中的电子 自旋极化和输 turncomputor) ．最近美 国Yale大学和 IBM 实验 运性质是一项十分有意义的研 究课题．本文 旨在对 室的科研人员研究指 出_12J：在未来半导体器件的 这一问题展开较为深入 的探讨 ，以期揭示结构构 型 设计和应用 中，电子的 自旋所起的作用将和当代器 和外加偏置 电压对 电子 自旋输运的影响 ，并对可能 件中电子 电荷所起的作用一样重要．据此他们提出 的 自旋电子器件的设计和应用提供物理模型和理论 全新的 自旋 电子学 (spintronics)概念 从此 ，在世界 依据 ． 范围内掀起 了对半导体低维结构 中 自旋极化、自旋 输运及其动力学行为研究的热潮． 2 理论方法 低维磁调制量子结构中的物理性质和应用研究 是近年来凝聚态领域又一倍受关注的课 题[17--28J