Goos-Hanchen位移增强效应及Fabry-Perot振荡场传感器研究.pdf

(申请理学博士学位) 博士生： 刘选斌 导 师： 曹庄琪 研究方向： 导波光学 学科方向： 光学 院 系： 理学院 上海交通大学理学院物理系 二零零六年十一月 上海交通大学博士论文 Goos-Hinchen位移增强效应 感器研究 摘要 反射点和入射点(也即几何光学反射点)有～段距离的偏移的现象。 这是由于入射光中不同的单色平面波分量具有不同的反射相移所造 的静态位相(stationaryphase)方法和高斯光束下的数值计算方法， 主要研究了导波共振和表面等离子波共振时GH位移增强效应。 在普通的两层介质的界面上，GH位移大小为波长量级。因此对光 波单次反射所产生的GH位移在实验上难以直接观察。因此，长期以 来，一方面，人们在实验上较多地采用微波波段进行实验，另一方面， 很多人在理论上研究不同条件下的GH位移增强效应以获得较大的GH 位移，到目前为止已经发现了许多种GH位移增强效应。其中，由表 面等离子波共振引起的GH位移增强效应早在上世纪八十年代就开始 被人注意到。但直到2004年，YinXiaobo等人在实验上才首次证实 了表面等离子波共振引起的GH位移增强效应的存在。同时他们在实 验上还发现了一个在理论上以前从未有过的新现象：如果金属层的厚 度超过零反射率下的最佳金属层厚度，GH位移为负，反之为正，并 且还发现金属层的厚度越接近零反射率下的最佳厚度，GH位移就越 大，反之就越小。本文则在理论上把这个结果进行了推广，得出了一 上海交通大学博士论文 个重要的结论：GH位移的符号取决于共振模的内在损耗与辐射损耗。 当内在损耗大于辐射损耗时，GH位移取负值，反之为正，并且内在 损耗与辐射损耗之差越小，GH位移的绝对值就越大。Ⅵn 实验发现的现象只是这个结论的一个特例。而且这个结论不仅适用于 表面等离子波共振，还适用于导波共振。在泄漏波导上的GH位移增 Schreier等人在理论上报道过，但是， 强效应虽然在1998年被Frank 他们并不考虑材料的吸收，所得到的GH位移为正。在我们考虑了泄 漏波导中材料的吸收以后，发现GH位移不仅可以为正，也还可以为 负。 在前面这个结论的基础上，我们还发现在双面金属波导结构上可 在自由空间耦合技术下激发的导波而产生。在合适的参数下，TE与 TM的导模共振角可以基本重合，对TM波，内在损耗小于辐射损耗， 而对TE波，则恰好相反，内在损耗大于辐射损耗。因此，TM波的GH 位移为正，TE波的GH位移为负。’ 感器。不同于传统的迅衰场传感器，在这种传感结构中，待测样品位 于振荡场中。而且这种传感器也可以获得很窄的反射吸收峰，因此其 灵敏度大大提高，显著高于传统的迅衰场传感器，例如全内反射结构 传感器，SPR结构传感器和泄漏模结构传感器。除了灵敏度高，这种 传感结构还具有制作工艺简单，与偏振无关等优点，在光化学传感领 域有着广泛的应用前景。 上海交通大学博士论文 关键词：古斯．汉欣位移；静态位相理论；表面等离子波共振；导 波共振：自由空间耦合；振荡场传感器；迅衰场传感器。 III 上海交通大学博士论文 ENHANCEMENTEFFECTOFGOOS一咖CHENSHIFT ANDFABRY二PERoToSCILLATINGlilELDSENSoR ABsfrRACT Goos—Hgnchenshiftreferstothelateralshiftofa reflected totally beamfromthe isbecaus