【论文】真空蒸发沉积CdZnTe纳米薄膜的结构与形貌.pdfVIP

助 能 对 抖 2010年第2期(41)卷 真空蒸发沉积 CdZnTe纳米薄膜的结构与形貌 周 昊，介万奇，查钢强，高俊宁 (西北工业大学 凝固技术国家重点实验室 ，陕西 西安 710072) 摘 要： 采用真空蒸发沉积技术在 ITO玻璃上制备 将导致薄膜内的晶格畸变增大，从而影响薄膜 的形核 得到CdZnTe纳米晶薄膜，并利用台阶仪、x射线能谱 与长大。 仪 (EDS)、X 射 线 衍 射 仪 (XRD)和 原子 力 显微 镜 Greenberg[6研究 了不 同化合物配 比的CdZnTe (AFM)研究了CdZnTe薄膜厚度、成分、结构和形貌 合金的升华热力学性质。在标准大气压下，1123K时 特征 。实验结果表明，薄膜在(111)面表现出明显的择 CdZnTe发生升华 ，随着温度的升高，由于 CdTe的优 优生长特性。在薄膜生长初期，纳米薄膜 中存在一定 先升华大量缺失，CdZnTe合金会 向ZnTe变化。因 程度的非晶态富集 Te，但随着沉积时间延长，薄膜成 此 ，需要选择合适的温度和蒸气压，确保制备得到的薄 分向化学计量比逼近 ，结构也向闪锌矿 CdZnTe转变。 膜中不含 CdTe和 ZnTe。本文利用真空蒸发法 ，研究 薄膜表面形貌平整，粗糙度 R 约为 2～5nm。随着沉 在薄膜沉积初期 ，即膜厚 500nm 以下时的结构与形貌 积时间的延长，薄膜形貌由晶粒堆砌状向多晶层片连 变化。并采用 Zn含量较高的CdZnTe多晶粉料作蒸 接状转变。在沉积 时间分别为 15、3O和 45min时，薄 发源，以便更好地控制各组分的分压 ]。 膜的厚度依次分别约为 100、300和 500nm，而薄膜 的 2 实 验 晶粒平均尺寸依次分别为 43．15、30．81和 71．94nm。 关键词 ： CdZnTe薄膜 ；纳米 ；结构 ；形貌 采用本实验室合成的高纯 CdZnTe多晶粉料为蒸 中图分类号： TN304．2 文献标识码 ：A 发源l8]，以ITO玻璃为衬底 。衬底采用 0．1 (质量分 文章编号：100l一9731(2010)02—0282—03 数)的NaOH溶液进行超声清洗，以去除无机杂质。 然后进一步采用丙酮和去离子水分别超声清洗，以去 1 引 言 除有机杂质 ，最后用 N 吹干后放人真空腔室。采用 CdZnTe是一种光 电性能优异的 Ⅱ一Ⅵ族化合物半 AMBIOS2XP2型台阶仪对制备 的CdZnTe薄膜厚度 导体 ，具有吸收系数高，禁带宽度与太阳光谱相匹配等 进行了测试 。采用 OXFORDISISX射线能谱仪测试 优点。因此 ，CdZnTe多 晶薄 膜被用来 制备 CdS— 了薄膜 中的各组分含量。采用 PANalytiecalXpert CdZnTe太 阳能 顶 电池_l】]。此 外 由于 载 流 子 在 PRO型X射线衍射仪对 CdZnTe薄膜的晶体结构进 CdZnTe薄膜内的漂移距离短 ，可 以有效地提高收集 行了分析 ，射线入射方式为掠射，入射角为 1。。采用 效率，因此 CdZnTe薄膜可用于制备高性能低成本室 SeikoSPI3800一SPA一400原子力显微镜观察了薄膜的 温 x射线探测器及 7射线探测器L2]。 表面形貌。 CdZnTe薄膜 既可由化学方法制备 ，也可通过物 3 结果与讨论 理气相沉积得到 。化学法主要有非水溶剂中的电化学 沉积l3；物理气相沉积中使用最多的是热蒸发法 ]，此