Sb掺杂ZnSnO3透明导电薄膜制备与性能.pdf

第30卷第5期 无 机 化 学 学 报 V01．30No．5 2014年5月 CHINESE 0FINORGANICCHEMISTRY 1212—1220 JOURNAL Sb掺杂ZnSn03透明导电薄膜：制备与性能 储晓菲 贺蕴秋★ 李一呜 黄河洲 刘德宇 陈慧敏 李文有 (同济大学材料科学与工程学院，上海201800) 薄膜的晶相、微观形貌、晶格缺陷、电学性能以及紫外一可见光透过率。结果表明：所有薄膜都是ZnSnO，结构；与未掺Sb的 0．96 n．cm：缺陷研究表明：Sb的掺人使得晶格中的间隙锌离子含量增加，这有利于薄膜电阻率的降低：薄膜的紫外一可见光 fUV．Visl表明：在波长大于475nm的可见光范围内，掺人Sb的ZnSn0，薄膜的可见光透过率都在80％以上。 关键词：导电；透明；薄膜；溶胶一凝胶法 中图分类号：061 文献标识码：A 文章编号：1001—4861(2014)05—1212一09 DOI：10．11862／CJIC．2014．169 Sb ZnSn03 and Thin and Doped TransparentConductingFilms：PreparationProperty CHuxiao-FeiHE LI HUANGHe-ZhouuUDe—YuCHENHui-MinLIWen-You Yun—Qiu+Yi—Ming E嚼删ring，％嚼i‰如e瑚咄S^螂面，201800，仍in由 (Dep矾Mm矿朋缸eri以Scie耽e觎d Abstract： thinfilms a method．A andSb were ZnSn03 synthesized Undoped doped by sol-gelspin—coating betweenthese61mswas and ofZnSn03 comparativestudy stI。ucture，electricaloptical presented．The properties thinfilms with 30mol％ofSbwere doped0mol％，1mol％，8mol％and investigatedbyx—ray field electron Hall (XPS)， emission-scanningmicroscope(FE—SEM)，x-rayphotoelectronspectroseope all toa measurementandultraviolet—visible resultsshowthat 6lms spectroscope(UV．Vis)．The correspondpure