采用磁过滤阴极弧沉积技术制备含Ti类金刚石薄膜的研究.pdfVIP

维普资讯 第 3O卷 第 12期 核 技 术 Vo1．30，No．12 2007年 12月 NUCLEARTECHNIQUES December2007 采用磁过滤阴极弧沉积技术制备含Ti类 金刚石薄膜的研究 张 旭 王耀辉 吴先映 李 强 张荟星 张孝吉 (=I京师范大学低能核物理研究所 =I京市辐射中心 100875=I京) 摘要 采用磁过滤阴极弧沉积技术以金属 Ti为阴极在真空室中加入C2H2气体来制备含 Ti类金刚石薄膜，研 究不同的过滤弯管电流和在有过滤磁场存在条件下不同的C2H2气压对含Ti类金刚石薄膜的成分和组织结构的 影响规律。实验结果表明：薄膜是由TiC和类金刚石两种结构组成的复合薄膜。C2H2气压和过滤弯管电流都 对含 Ti类金刚石薄膜的成分和组织结构有显著的影响。增加 C2H2气压和过滤弯管电流都使薄膜中 元素的 原子百分含量逐渐下降，C元素的原子百分含量逐渐增加，TiC峰强度逐渐降低，半高宽逐渐增加。 关键词 磁过滤，类金刚石膜，过滤电流 中图分类号 TN305．3 磁过滤阴极弧沉积技术，是在真空沉积技术基 础上发展起来的新型薄膜制备方法。它通过磁等离 子体过滤技术，过滤掉电弧源产生的大颗粒和中性 原子，得到纯等离子束，可有效避免普通弧源沉积 方法中大颗粒引起的问题，以制备具有优异的性能 薄膜。磁过滤阴极弧沉积技术可制备单质金属或导 电非金属及其合金膜，且可制备金属化合物薄膜 ， 如TiN、ZrN、NbN、A1N、A1203、TiO2和 TiC等 氮化物和碳化物陶瓷膜 1【4】。我们已研究了c和 Ti 等单质元素的磁过滤特性5【】，在沉积系统中加入的 反应气体会受过滤磁场的作用而影响整个沉积过 程。本研究工作利用磁过滤阴极弧沉积技术制备含 Ti类金刚石薄膜，研究过滤弯管磁场和过滤磁场下 图1磁过滤等真空阴极弧沉积装置简图 不同压力的c2H2对含Ti类金刚石薄膜的成分和组 Fig．1 Schematicdiagram offilteredcathodicvacuum arc 织结构的影响规律。 depositionsystem 1 实验方法 采用 日本 Hitachi公司 X650 型扫描 电镜 含 Ti类金刚石薄膜沉积在磁过滤真空阴极弧 (SEM)的EDAX9100能谱仪测量薄膜中Ti和 c 沉积(FAD)系统上进行，由真空系统、等离子体源 元素含量 ，采用英 国 VG ScientificLtd公司 及磁过滤系统组成(图 1)。阴极材料为高纯 Ti，衬 ESCALABMKII型x射线光电子能谱(XPS)和荷兰 底材料为n型100单晶硅(沉积前在丙酮或酒精中 PANalytical公司X’PertPROMPD型x光衍射仪 超声波清洗)。先沉积 5分钟 Ti过渡层，以增强衬 (Xmg)表征薄膜结构。 底材料与类金刚石薄膜的结合力，再加入 cH气体 采用接触式形貌仪测量薄膜厚度和薄膜弯曲的 沉积含Ti类金刚石薄膜，其沉积参数为：衬底负偏 曲率半径，薄膜内应力计算采用Stoney’s公式： 压 200 V，沉 积 时 间 20 min，沉 积气 压 1 E f ，1 1、 3x10~10xl0～Pa，过滤弯管磁场电流 1～4A。 6(1一v)fR R0 第一作者：张旭 男 1966年出生，1999年于北京科技大学获得博士学位，研究方向为材料物理与化学专业 ，副研究员 收稿 日期：2007．06—25，修 回日