45nm：演绎芯片产业辩证法.pdfVIP

维普资讯 市场透视集锦 · 电 子 工 业 专 用 设 备 - · 45nm：演绎芯片产业辩证法 当业 内人士和用户在为英特尔和 AMD将芯 投入至少 24亿美元 ；设计 45nm芯片，要 2000 片产业带入多核时代而欢呼雀跃的时候，孰不知芯 5000万美元才能设计其 中的一个产品。由此可见 片产业和芯片产业的 “圣经 ”摩尔定律正在遭受芯 一 般 的芯片厂商是难 以承受的。但这个螃蟹终究是 片发展史上最严峻的挑战和考验 。 要有人先吃的，否则整个芯片产业的发展将有可能 我们知道 ，自1970年发明MOS工艺及 1973 出现停滞。从这个意义上看，65nin制程升级为45nm 年推出CMOS工艺 以来，至今还没有发现可替代 制程技术并非以往升级所带来的量变，而是脱胎换 它的工艺 ，足见 CMOS工艺的经济合理性 。因此 ， 骨的质的飞跃。 至今硅基材料的应用仍在继续延伸 。然而，在 晶体 与 65nin技术相 比，45nm制造工艺可 以将 晶 管工艺制造中采用二氧化硅作为栅极材料，实质上 体管集成度提升2倍左右，并进一步缩小芯片尺寸 已逼近极限。如 65nm工艺时，二氧化硅栅极的厚 或增加晶体管数量。这意味着在 300mm圆片上可 度已降低至 1．2nm，约5个硅原子层厚度，如果再 以切割出更多的芯片，从而降低成本 。在节能方面， 继续缩小，将导致漏 电及功耗急剧上升。在半导体 45nin工艺可降低 30％的晶体管切换 电源功耗，源 制造工艺中采用二氧化硅作为栅介质材料及多晶 漏一极漏 电率降低到 1／5，栅氧化层漏电率降低到 硅作为栅 电极材料的组合已经成功地运行了30多 1／10，并大幅度提高晶体管开关速度 。具体到应用 年，一直使用到90nin还相安无事 。之后在 65nm 上，基于X86架构的服务器、PC和笔记本的性能在 工艺节点时才发现漏 电流及功耗急速上升，并开始 大幅度提升的同时，功耗反而大幅下降。这无疑符 引起业界的警觉。虽然也曾采用如引变硅等技术来 合 了当今企业级数据中心的绿色节能趋势，而对于 继续延伸，但是 自进入 45nm后，矛盾 日趋突出，如 个人用户而言，在提升PC和笔记本使用体验 的同 果想继续缩小尺寸，就必须采用新的材料 。由此可 时，更低的能耗和更长的电池使用时间会放大用户 见，新的材料的出现和应用是推动芯片产业和延续 的这种使用体验 。从用户使用体验的角度也可以看 摩尔定律的关键 。 出45nm 带来 的质 的飞跃 。 为此各家芯片厂商都开始新材料的研究。2007 还在上 中学的时候，我们就通过学习辩证唯物 年 1月，英特尔展示了全世界第一款 45nm高k处 主义明白了量变和质变的关系。之所 以发生质变是 理器，从而有力地证明了自己的制程技术比半导体 因为量变的积累。对于英特尔来说，之所 以在众多 行业其他厂商领先 1年 以上。英特尔联合创始人摩 的芯片厂商中率先跨过 45nm 的“坎 ”和其一贯注 尔表示：高k和金属栅极材料的使用，标志着 自20 重芯片领域的持续创新和发展战略的量的积累是 世纪 60年代末多晶硅栅极MOS晶体管推 出以来， 密不可分的。例如英特尔的Tick—Tock(钟摆)战略， 晶体管技术领域最重大的变革 。 这里的“Tick”代表着全新的制程技术与增强型微 实际上，在芯片制造业中存有不同的看法 。以 体系结构。相应的“Tock”代表着崭新的微体系结构 英特尔、IBM、AMD等为代表，主张在 45nm阶段 设计，