硅片边缘化学机械抛光的微小去除量测量.pdfVIP

2010年第 44卷No2 109 硅片边缘化学机械抛光的微小去除量测量 杨卫平 ，吴勇波 江西农业大学；秋田县立大学 摘要 ：针对硅片化学机械抛光工艺的材料去除量非常微小并难以测量的问题，本文介绍一种采用表面粗糙度 测量仪，对硅片边缘化学机械抛光的材料去除量进行一种简易、快速的测量方法，且该方法同时还可准确地测量硅 片边缘抛光表面粗糙度值。检测结果表明，本方法较好地解决了硅片边缘化学机械抛光表面检测问题。 关键词：硅片边缘；化学机械抛光；材料微小去除量；测量 中图分类号：TG580．692 文献标志码：A MethodofM easurementM aterialMicro-RemoveRate of SiliconW aferEdgeTreatmentbyChemical-MechanicalPoUshmg YangWeiping，WuYongbo Abstract：Chemical—Mechanicalpolishingforsiliconwafermaterial removalprocessisverysmallanddifficulttomeasure， thispaperpresentsasurfaceroughnessmeasuringinstrument，Ontheedgeofsiliconwaferchemical—mechanicalpolishingofhte materialr~movalwascarriedoutasimpleandrapidmeasurementmehtod．Themehtodcanalsoaccuratelymeasuretheedgeof polishedsiliconwafersurfaceroughnessvalue．Testingresultsshowhtathtismehtod Cna solvehteproblem ofsiliconwaferchemi— cal-mechanicalpolishinghtesurfaceofhteedgedetcetion． Keywords：siliconwaferedge；chemical—mcehanicalpolishing；materialmicro——removerate；measurement 1 引言 2 硅片边缘微小去除量测量及其实验 数据处理 集成电路(IC)作为信息化程度的核心，近年来 得到迅猛发展，并成为推动国民经济和社会信息化 图1为硅片边缘化学机械抛光后的表面状况， 发展最主要的高新技术之一 1 。由于硅片上极微 由于抛光过程采用的抛光剂浆液粘附在硅片表面极 小的高度差异都会使 IC的布线图案发生变形、扭 不易完全清洗干净，再加上抛光表面去除量非常微 曲、错位，其结果将导致绝缘层的绝缘能力达不到要 小(约几毫克)，因此即使采用高精度的测量仪器 (精 求，或金属连线错乱而出现废品，故要求硅片表面应 度达0．0001g)对测量硅片材料去除质量的方法进行 具有很高的全局平整度等要求。迫切需要提高硅片 抛光效率的研究，仍会发现测量抛光后的硅片质量 加工的型面精度和微观表面质量，高品质硅片的超 大于抛光前的质量，影响了测量结果的准确性，故采 精密加工技术成为发展微电子产业的关键技术，也 用测量质量的方法研究抛光效率问题无疑是件非常 是未来几年世界各国在微 电子制造领域所面临的热 困难的事情。因此，为使抛光效率的测量结果尽可 点研究课题和技术竞争的焦点之一_1，I5]。随着超