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真空鍍膜基礎 -- 電漿在薄膜製程上之應用 3.濺鍍法 (sputtering) (1) 直流濺鍍法 (DC sputtering) (2) 射頻濺鍍法 (RF sputtering) (3) 磁控濺鍍法(magnetron sputtering) 3. 濺射法 (Sputtering) 3.1 何謂Sputtering 固體表面受到帶有高能量的粒子(受電埸加速的正離子)的衝擊，固體表面的原子、分 子等從帶有高能量粒子取得運動能(量) ，由固體表面被擊出(落) ，這種現象稱Sputtering 。 3.2 Sputtering vs. Vacuum evaporation (真空蒸著法) Sputtering優點: 真空蒸鍍困難或不易蒸鍍的低蒸氣壓金屬元素及化合物都可適用。 Sputtering缺點: (1)真空裝置因須導入高電壓、稀釋氣體等，設備裝置比較複雜。 (2)薄膜之成長速度小。 (3)從陰極放出之二次電子，會衝擊到薄膜或基材，以致薄膜溫度不易控制。 3.3 濺鍍基本原理 3.3.1 輝光放電(Glow discharge)之發生 Glow discharge是濺鍍法之基本方法，輝光放電濺鍍約在氣體壓力 103 0 -l0 pa 的真空 室內的二電極間加以 (1)高電壓或 (2)低週波的交流高電壓 (3)直流電壓 ，兩極間即會產生 放電現象 而直流輝光放電產生之電位-電流(Voltage-current)關係中，隨著電流增加可分為以下 幾種輝光(P = 1 torr下) ： Sub-normal glow (湯森放電區) (10-14 ~10-6 A) ：放電電流比正常放電電流小的領域。 Normal glow (正常放電區) (10-2-10-5 A) ：放電維持電壓一定的領域。 Abnormal glow (異常放電區) (10-1-10-2 A) ：放電電流比正規放電電流大時 ，維持放電之電 壓隨著電流增加而增大，半導體沈積與蝕刻操作區間。 Arc (電弧區) ( 10-1 A) ：超過異常放電區域以上時，維持放電之電壓會急速下降，產生大 電流的電弧放電。 圖3-1所示為直流輝光放電(DC glow discharge)兩極間之狀態。 圖3-1 直流輝光放電的狀態 (1) Aston dark space (暗部): 從陰極的冷陰極所放出的電子能量只約l eV 。所以和氣體分子間不會發生作用，因此 陰極附近有黑暗部份。使用Ne, Ar時特別明顯。其他氣體就會變極狹小，不易分辨。 (2) Cathode glow discharge (陰極輝光放電): 電子被加速時，氣體分子會被激發，產生氣體分子固有的發光。 (3) Crookes dark space (Crookes 暗部): 電子被加速超過某此程度時，氣體分子會被離化，產生多數的電子與低速電子時，這 個地方不會發光，稱Crookes暗部。 (4) Negative glow (負輝光): 這裡所產生的大量低速電子，若給予能量加速運動時，大量氣體分子會被激發而發光 產生負輝光時，稱為negative glow 。 而兩極間的電壓降，則發生在陰極與負輝光放電間的ion sheath所造成的。 圖3-2 輝光放電時陰極附近的分子的狀態模式 3.3.2 glow discharge 之特性 電漿基本特性 3 5 (1)輝光放電中的氣體分子(粒子)的離子含量約10 ~10 很低時，稱弱電離電漿。但電子與氣 體分子間的非彈性碰撞的關係，即使中性也會變成激發狀態或分子的分解產生自由基 (radicals)共存其中，這對reactive sputtering 或 plasma processes 之薄膜形成是非常重要 的。 plasma 中，除電子、離子之外，含多數的單原子、激態原子、激態分子及自由基等帶 中性電荷的分子存在。 由Radicals形成film條件為其