结晶紫在纳米磷化镓粉体表面吸附的表面增强拉曼光谱分析.pdfVIP

第 24 卷, 第 5 期 光　谱　实　验　室 V ol. 2 4 , N o . 5 2 0 0 7 年 9 月 Ch inese J ou rnal of S p ectroscop y L aboratory Sep tem ber , 2 0 0 7 结晶紫在纳米磷化镓粉体表面吸附的 表面增强拉曼光谱分析 邹陆军　张兆春① (上海大学材料科学与工程学院　上海市闸北区延长路 149 号　200072) 摘　要　利用 光谱对结晶紫( , ) 在纳米磷化镓( ) 粉体表面的吸附状态进 R am an C rystal V iolet CV GaP 行了分析。结果表明: 与普通拉曼散射谱( , ) 相比, 结晶紫表面增强拉曼散射 N orm al R am an Scattering N R S ( , ) 谱的 4 种振动模式, 即: 中央键的呼吸振动、环— + —环面外 Surface Enhanced R am an Scattering SER S C 弯曲振动、环 — 面外弯曲振动以及 环伸缩振动, 在纳米 粉体表面得到增强; 通过分析吸附前后 C H N GaP 结晶紫拉曼散射峰相对强度的变化, 确定了结晶紫在纳米 GaP 粉体表面的吸附取向, 并对其表面增强散射 机理进行了探讨。 关键词　结晶紫, 磷化镓, 吸附, 表面增强拉曼散射。 ( ) 中图分类号: O 657. 37　　　文献标识码:A 　　　文章编号: 2007 1　前言 研究纳米材料表面与被吸附分子之间的相互作用是了解纳米材料表面状态和表面催化机理的 重要方法。利用 研究分子的吸附行为已有许多的报道, 其中涉及的吸附剂主要是 、 等 SER S A u A g 贵金属[ 1—3 ] , 有关半导体表面 SER S 的报道则相对较少。纳米GaP 是一种重要的 族化合物半 导体材料。业已证明: 在 300 ℃时, 纳米 GaP 粉体在氧气气氛中可进行氧原子取代磷原子的表面固 [ 4 ] 相化学反应 ; 在 450—480 ℃范围内, 以纳米GaP 粉体作为引发剂, 苯可以发生双分子合成反应, [ 5 ] 生成二联苯 。这些性质已初步证实纳米GaP 粉体具有很高的表面化学活性。为了进一步了解其 表面物理化学性质, 本文中利用 SER S 对结晶紫在纳米 GaP 粉体表面的吸附行为进行了研究, 确 定了结晶紫在纳米 GaP 粉体表面的吸附取向, 并对其 SER S 机理进行了初步探讨。 2　实验部分 2. 1　纳米 GaP 粉体制备 纳米 GaP 粉体由N a3P 和无水 GaC l3 在二甲苯中进行化学反应制得, 反应方程式为: 二甲苯