脉冲偏压对电弧离子镀Ti／TiN纳米多层薄膜显微硬度的影响：Ic.pdfVIP

第41卷 第10期 金属学玫 V61．41NO．10 ACTAMETALLURGICASINICAOct．2005 2005年10月1106—1110页 PP．1106～1110 脉冲偏压对电弧离子镀Ti／TiN纳米多层薄膜 显微硬度的影响 ：Ic 赵彦辉t) 林国强，，z) 李晓娜-，。) 董闯·) 闻立时·，。) 1)大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，大连116024 2)大连理工大学物理系，大连116024 3)中国科学院金属研究所，沈阳110016 摘要 采用脉冲偏压电弧离子镀方法在高速钢基体上沉积Ti／TiN纳米多层薄膜，采用正交实验法设计脉冲偏压电参数，考察 脉冲偏压对Ti／TiN纳米多层薄膜显微硬度的影响．结果表明，在所有偏压参数(脉冲偏压幅值、占空比和频率)和几何参数(调 V、占空比为50％及频 制周期和周期比)中，脉冲偏压幅值是影响显微硬度的最主要因素；当沉积工艺中脉冲偏压幅值为900 率为30kHz时，薄膜硬度可高达34．1GPa，此时多层膜调制周期为84nm，TiN和Ti单元层厚度分别为71和13nm；由 于薄膜中的单层厚度较厚，纳米尺寸的强化效应并未充分体现于薄膜硬度的贡献中，硬度的提高主要与脉冲偏压工艺，尤其是脉冲 偏压幅值对薄膜组织的改善有关． 关键词 脉冲偏压，电弧离子镀，Ti／TiN纳米多层薄膜，显微硬度 中图法分类号TB383 文献标识码A EFFECToFPULSEDBIASoN oF MuLTILAYERFILMsDEPosITEDBY Ti／TiN ARCIONPLATING ZHA0 Lishil，31 Yanhuil)。LIN Xiaonal，21．DoNG GuoqiangI’21，LI Chuang¨．wEN forMaterialsModification andElectron of 1)StateKeyLaboratory byLaser，Ion Beams，DalianUniversityTechnology Dalian116024 of of 116024 2)DepartmentPhysics，DalianUniversityTechnology,Dalian of Metals Chinese of 110016 3)InstituteResearch，TheAcademySciences，Shenyang Correspondent：LINGuoqiangI NationalTechnicalResearchand ofChina Supportedby High Developmento|Programme (No．2002AA302507) received2005—03—18．inrevisedform2005-06-04 Manuscript ABSTRACT filmswere on substrates Ti／TiNnano-multilayerdepositedhigh-sp