高灵敏宽禁带半导体杂质缺陷行为研究.pdfVIP

教育部推荐 2014 年度国家科学技术奖公示内容 项目名称：宽禁带半导体杂质缺陷行为研究 项目简介： 本项目属于半导体材料领域。以 GaN(3.4eV)、AlN(6.2eV)、InN(0.7eV) 及其合金构成的Ⅲ族氮化物和 ZnO 为代表的宽禁带半导体具有宽广、可调的直 接带隙，并具有高击穿场强、耐辐射等优异的物理特性，已经用于发展 LED、紫 外探测器等光电子器件和高温、高频、高功率电子器件，并且有望用于发展室温 可工作的半导体自旋电子学器件。宽禁带半导体不同于传统半导体材料，通常要 求比较苛刻的生长条件，材料中存在高密度的杂质位错和界面缺陷，对材料器件 性能有关键性影响，近年来一直是半导体研究的热点，具有十分重要的科学意义 和实用价值。本项目针对宽禁带半导体的高缺陷密度材料的结构表征和缺陷发光 机制，磁性杂质掺入、电子结构和磁性起源，杂质缺陷导致的局域激子行为和能 带重整化效应等开展了系统研究，取得一系列创新研究成果。主要科学发现包括： 1. 结合镶嵌模型和高分辨 X 射线衍射技术，提出了高缺陷密度薄膜材料的 结构表征方法。应用这一方法系统给出了 InN 薄膜材料中不同类型位错的密度、 数量关系和其它结构参数，揭示了不同生长方法导致的微结构对材料物理性质的 本质影响。采用主动掺杂的方法，揭示了 GaN 外延材料中缺陷发光带（黄带） 包含有多个不同物理特征的浅施主-深受主跃迁过程，提出“黄带”有多种化学 起源，阐明碳、氢等杂质均能导致“黄带”的产生。 2. 发展了高压低温溶剂热化学自组装方法制备了钴离子掺杂 ZnO 基稀磁 半导体纳米结构，提出了溶剂热法生长 ZnO 纳米结构的非完美自组装取向偏置 生长机制，揭示了纳米晶粒的生长动力学过程。观察到取向偏置过程中形成的界 面缺陷与纳米结构内部形成不同的磁性杂质离子浓度，导致了铁磁/顺磁特性的 纳米核/壳结构。提出具有巡游特征的浅施主态与局域化的 Co2+未占满 3d 态杂 化形成束缚磁性极化子，在费米能级附近产生自旋劈裂杂质带，最终形成高居里 温度的室温铁磁性的磁性起源机制。 3. 提出 ZnO 薄膜材料的晶体原子缺陷模型，揭示了晶粒耗尽区和体内平带 区不同的激子复合跃迁新机制。这一机制很好地解释了 ZnO 材料中普遍观察到 的绿光发射现象，澄清了 ZnO 材料尤其是纳米结构中的绿带发光起源。揭示了 ZnO 中 Ga 重掺杂导致载流子多体互作用导致的能带重整化（BGR）效应，首 次报道 ZnO:Ga 材料中的 BGR 系数的实验值，阐明了 Ga 重掺导致的 ZnO 导带 非抛物形电子能带结构。 本项成果受到国际同行广泛重视和高度评价，成果被国际同行权威学者在包 括 Nature Materials, Nano Letters, MSER, JACS,APL, PRB, Nanotechnology 等重要刊物上大量引用、引述。已发表 SCI 论文 85 篇，其中 8 篇代表性论文共被 SCI 他引 370 篇,20 篇主要论文 SCI 他引 750 篇，均为正面 引用。本项成果在国际同类同期工作中处于领先水平，产生重要的国际影响，对 发展宽禁带半导体材料和器件作出了重大贡献。项目组成员 40 余次在氮化物半 导体领域和自旋电子学领域重要国际学术会议任职，35 次在重要国际会议作邀 请报告。 本项成果的部分内容已获得 2010 年度教育部高校自然科学一等奖。 主要完成人及学术贡献： 张荣，南京大学教授，项目负责人，对主要科学发现均作出了重要贡献，是 科学发现一的主要贡献者。 顾书林，南京大学教授，对主要科学发现一和三作出了重要贡献，是科学发 现三的主要贡献者。 许建斌，香港中文大学教授，合作项目的香港方面主持人，是科学发现二的 主要贡献者。 王学峰，南京大学副教授，是科学发现二的重要贡献者。 叶建东，南京大学教授，是科学发现三的重要贡献者。 代表性论文目录： 1. Photoluminescence of carbon in situ doped GaN grown by halide vapor phase epitaxy, Zhang, R; Kuech, TF, APPLIED PHYSICS LETTERS, 72(13), 1611-1613(1998) 2. Microstructure and dislocation of e