平板显示中非晶硅薄膜晶体管漏电流性质研究改善.pdf

摘 要 作为液 晶显示模块 的核心组成部分 ，薄膜 晶体管 阵列 的性 能提升一直是业界与 学界 的热 门课题 。非 晶硅材料 由于成本低廉 ，工艺成熟，针对非 晶硅薄膜 晶体管性 能提升 的课题具有很高 的实用价值 的。随着像素尺寸 的不断缩小，晶体管漏 电流成 为制约产 品性能的重要 因素 ，因此本文将对非 晶硅薄膜 晶体管漏 电流展开研 究并加 以改 善 。 本论文介绍 了 TFT-LCD 的基本驱动原理和非 晶硅器件 的物理基础 。重点分析 了非 晶硅薄膜 晶体管漏 电流 的机理 ，从物理模型 的层面分析 了造成漏 电流偏大 的因 素 ，总结 出三种漏 电流 机制 ：沟道 电荷 发射 电流 、背沟道效应 电流 、Poole-Frenkel 效应 电流 。并分析 了背沟道效应和 Poole-Frenkel效应对应 的漏 电流物理模型 ，发现 背沟道界面态密度 、主沟道界面态密度 、漏极与栅极之 间降落在 a-Si上 的大 电场是 影 响漏 电流 的重 要 因子 。 基于 以上 的理论分析 ，本文 并通过总结 当前 薄膜 晶体管 阵列工艺 ，提 出了一套 实验方案用 以在 实 际生产线 中改善漏 电流 的效果 。实验 中主要针对 PE C V D 工艺 、 R IE 工艺 、湿法刻蚀 工 艺进行 了改善 ，改变 了 T FT 膜质与膜厚 、干刻后氢处理工 艺 、 N +层掺杂 。测试 结果显示通过 N +逐级掺杂工艺 能够有效 降低 Poole-Frenkel效应 导 致 的漏 电流 ，有 力支 持 了理论分析 中的物理模 型 。 本文最后在 以上实验 的基础上 ，以 N +逐级掺杂工艺为基准 ，调整 了硅烷与氢 气 的比例 、低速非 晶硅成膜功率与膜厚 ，通过量化 的对 比各条件 的漏 电流 、迁移率 、 幵态 电流 的平均值 与均 一性 ，找到 了一种工 艺参数 的搭配 ，能够在 原有基础 上 降低 59% 的漏 电流 ，同时保持 良好 的均一性和幵态 电流 、迁移率 ，为大规模 生产 中产 品 良率和性 能 的提升提 供 了方 向。 关键词 ：非 晶硅 薄膜 晶体管 TFT-LCD 漏 电流 中 图分类 号 ：TN 32 1+.5 2 A b s tra c t A s the core dev ice of L C D m odu le, T F T array is alw ay s focu sed on by both industry engin eers and science. A m orphou s silicon is th e m ajor m aterial for T FT b ecau se of its low cost and m atured process flow . It is very practical to im prove the perform ance of a-Si:H T FT . A s the p ixel p itch getting sm aller, the leak age current of a-S i:H T FT has becom e a b ig prob lem con strain in g the p erform ance of L C D . T he leak age current characteristic of a-S i:H T F T an d the w ay to im prove are investigated in th is thesis. B asic T FT-L C D driv ing princip le and physics of am orphou s silicon device are review ed first. A fter that ，the m echanism of leakage current is studied at physics m odel level. T hree leak age m echanism s, i.e., chann el charge em ission, back chann el effect and P oole-frenkel